V3.0 （第2版）第2章 存储器SY150812.pptxVIP

第2章? 微型计算机的存储器 ;半导体存储器的一些基本概念 位 （Bit或b）：信息的基本单位 ,表示一个二进制信息“1”或“0”。位信息是由具有记忆功能的半导体电路实现的，例如用触发器记忆一位信息。;存储器单元量纲符号;地址：地址表示存储单元所处的物理空间的位置，用一组二进制代码表示。地址相当于存储单元的“单元编号” ，CPU可以通过地址码访问某一存储单元，一个存储单元对应一个地址码。 存取周期：是指存储器存放或取出一次数据所需的时间。 存储容量和存取周期是存储器的两项重要性能指标。;存储器从它与CPU的位置关系可以分为内部存储器和外部存储器两种。 内部存储器:存放正在运行的程序和相应的数据的存储器。 外部存储器：用来长期保存程序和数据的存储器，相当于程序和数据的仓库。 存储器的工作速度相对于CPU总是要低1～2个数量级。 ;系统对存储器的要求： 容量要大、存储速度要快。 为了使容量、速度与成本适当折中，现代计算机系统都采用多级存储体系结构：主存储器（内部存储器）、辅助（外部）存储器及网络存储器。;在实际使用中，越靠近CPU的存储器，与CPU的数据交流越频繁，其速度自然是越快越好，容量越大越好，实际情况是其容量一般都不大。为了使大容量的主存储器能与CPU进行信息快速交换，在CPU与主存储器之间还有1-2级高速缓冲存储器（Cache），一般集成在CPU芯片内。 Cache容量较小，目前一般为几MB，其工作速度几乎与CPU相当。;主存储器（内存条）容量较大，又称为内部存储器，目前一般为2GB、4GB、8GB，工作速度比Cache慢。 但目前所用的SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM性能已有极大的提高。;为了使大容量的内存能与CPU进行信息快速交换，在CPU与内存之间还设计有1～2级高速缓冲存储器（Cache），现在一般集成在CPU芯片内，Cache容量较小，目前一般为几MB，其工作速度几乎与CPU相当。 ;除内部存储器之外的存储器统称为外部存储器（或外存） 目前主流是磁介质存储器，容量迅速提高，现在主流是几TB的硬盘，速度也提高很快，成本也在不断下降，已成为微型计算机的主流外部存储器。 另外，还有NAND闪存组成的固态硬盘，其特点是性能高；光存储器现在较新的是蓝光光盘; 微型计算机用到的存储器分类： 1、按制造工艺分 可将半导体存储器分为双极型和MOS型两类。 （1）双极型 构成：TTL晶体管逻辑电路 特点：工作速度快，但集成度低、功耗大、价格偏高。; （2）金属氧化物半导体型 简称MOS型。该类型有多种制作工艺，如N沟道MOS、HMOS（高密度MOS）、CMOS（互补型MOS）、CHMOS（高速CMOS）等。 特点：集成度高、功耗低、价格便宜，但速度较双极型器件慢。 ;2、按使用属性分 ; ROM可分为以下5种类型: ① 掩模式ROM，简称ROM。该类芯片通过工厂的掩模制作，已将信息做在芯片中，出厂后不可更改。 ② 可编程ROM，简称PROM。该类芯片允许用户进行一次性编程，此后便不可更改。 ③ 可擦除PROM，简称EPROM。一般指可用紫外光擦除的PROM。该芯片允许用户多次编程和擦除。擦除时，通过向芯片窗口照射紫外光的办法来进行。; ④ 电可擦除PROM，简称EEPROM，也称E2PROM。该类芯片允许用户多次编程和擦除。用户可在线进行擦除、编程等操作。 ⑤ 闪存（Flash memory），是一种新型的容量大、速度快、电可擦除可编程只读存储器。;（2）RAM RAM，随机存储器，信息可以根据需要随时写入或读出。对于一般的RAM芯片，掉电时信息将会丢失。 ① 静态（Static）RAM，即SRAM。该类芯片的集成度不如动态RAM，功耗也比动态RAM高，但它的速度比动态RAM快，也不需要刷新电路。在构成小容量的存储系统时如单片机应用系统一般选用SRAM，在微型计算机中普遍用SRAM构成高速缓冲存储器。 ;② 动态(Dynamic)RAM，即DRAM。结构简单，集成度高。但是必须为它配备专门的刷新电路。动态RAM芯片的集成度高、价格低廉，所以多用在存储容量较大的系统中。目前，微型计算机中的主存几乎都是使用动态RAM。;（3）新型存储器件 FRAM（铁电存储器）， FRAM（铁电存储器），利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，掉电数据不丢失。为同时需要使用SRAM和E2PROM的应用系统找到一种新的途径，但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问次数的限制。 MRAM（非挥发性随机存取存储器）， MRAM（非挥发性随机存取存储器），具有静态随机存储器（SRAM）的高速存储能力、高集成度，基本上可以无限次地重复写入的