电子技术基础_22半导体三极管.pptVIP

2.2.2.1 结型场效应管 2.2.2.2金属-氧化物-半导体场效应管 当VGS＞VT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS的不同变化对导电沟道和漏极电流ID的影响。 VDS=VDG＋VGS =－VGD＋VGS VGD=VGS－VDS 当VDS为0或较小时，相当 VGD＞VT ,此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。在VDS作用下形成ID 增强型MOS管 另一方面，漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 * 2.2.1 半导体三极管（BJT） BJT是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。由于两个PN结之间的相互影响，使BJT表现出不同于单个PN结的特性而具有电流放大作用，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。 BJT的结构简介 半导体三极管的结构示意图如下图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 结构特点： 发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 BJT的电流分配与放大原理 1. 内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 发射区：发射载流子 基区：传送和控制载流子集电区：收集载流子 载流子的传输过程 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 载流子运动 动画四 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= InC+ ICBO IB= IB’ - ICBO 通常 IC ICBO ? 、 ?为电流放大系数，只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99，? 1 IE=IB+ IC 载流子的传输过程 3. 三极管的三种组态 共集电极接法：集电极作为公共电极，用CC表示。 共基极接法：基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法：发射极作为公共电极，用CE表示。 BJT的三种组态 RL e c b 1k? 共基极放大电路 4. 放大作用 若 ?vI = 20mV 使 当 则 电压放大倍数 VEE VCC VEB IB IE IC + - ?vI +?vEB ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?iE = -1 mA， ?iC = ? ?iE = -0.98 mA， ?vO = -?iC? RL = 0.98 V， ? = 0.98 时， + - b c e RL 1k? 共射极放大电路 共射极放大电路 VBB VCC VBE IB IE IC + - ?vI +?vBE ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?vI = 20mV 设 若 则 电压放大倍数 ?iB = 20 uA ?vO = -?iC? RL = -0.98 V， ? = 0.98 使 4. 放大作用 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 BJT的电流分配与放大原理 vCE = 0V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。 vCE = 0V vCE ? 1V (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 BJT的特性曲线 ①死区 ②非线性区 ③线性区 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=const 2. 输出特性曲线 BJT的特性曲线 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 + - b c e 共射极放大电路 VBB