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XINYU UNIVERSITY 成 绩 批阅老师 《表面科学与技术》课程作业 作业题目 化学气相沉积 二级学院 新能源科学与工程学院 专 业 材料物理 班 级 13材料物理 学 号 1303210012 学生姓名 蒲敏胜 授课教师 王发辉 学习《表面科学与技术》课程的心得体会 —化学气相沉积 姓名：蒲敏胜 ，学号：1303210012 化学气相沉积 一 摘要： 化学气相沉积CVD是利用加热，等离子体激励或光辐射等方法，使气态或蒸汽状态的化学物质发生反应并以原子态沉积在置于适当位置的衬底上，从而形成所需要的固态薄膜或涂层的过程。一般地说，化学气相沉积可以采用加热的方法获取活化能，这需要在较高的温度下进行；也可以采用等离子体激发或激光辐射等方法获取活化能，使沉积在较低的温度下进行。另外，在工艺性质上，由于化学气相沉积是原子尺度内的粒子堆积，因而可以在很宽的范围内控制所制备薄膜的化学计量比；同时通过控制涂层化学成分的变化，可以制备梯度功能材料或得到多层涂层。在工艺过程中，化学气相沉积常常在开放的非平衡状态下进行，根据耗散结构理论，利用化学气相沉积可以获得多种晶体结构。在工艺材料上，化学气相沉积涵盖无机、有机金属及有机化合物，几乎可以制备所有的金属，非金属及其化合物沉积层。另外，由于气态原子或分子具有较大的转动动能，可以在深孔、阶梯、洼面或其他形状复杂的衬底及颗粒材料上进行沉积。为使沉积层达到所需要的性能，对气相反应必须精确控制。 二：化学气相沉积原理 化学气相沉积过程分为四个重要阶段；反应气体向基体表面扩散，反应气体吸附于基体表面，在基体表面上产生的气相副产物脱离表面，留下的反应产物形成覆层。利用化学气相沉积制备薄膜材料首先要选定一个或几个合理的沉积反应。 根据化学气相沉淀过程的需要，所选择的化学反应通常应该满足： 2.1反应物质在室温或不太高的温度下最好是气态，或由很高的蒸气压，且有很高的纯度； 2.2通过沉积反应能够形成所需要的材料沉积层； 2.3反应易于控制。 用于化学气相沉淀的化学反应有多种类型，其反应原理与特点介绍如下： （1）热分解反应 气态氢化物、羰基化合物以及金属有机化合物与高温衬底表面接触，化合物高温分解或热分解沉积而形成薄膜。 例如：SiH4 Si+2H2 Ni(CO)4 Ni+4CO （2）氧化反应 含薄膜元素的化合物与氧气一同进入反应器，形成氧化反应在陈地上沉 积薄膜。 例如：SiH4+O2 SiO2+2H2 a还原反应 用氢、金属或基材作还原剂还原气态卤化物，在衬底上沉积形成纯金属膜或多晶硅膜。 b水解反应 卤化物与水作用制备氧化物薄膜或晶须。 C 可逆输送 化学转化或输运过程的特征是在同一反映其维持在不同温度的源区和沉淀区的可逆的化学反应平衡状态。 三：化学气相沉积的类型 化学气相沉积（CVD）技术有多种分类方法，以主要特征进行综合分类，可分为热化学气相沉积（TCVD）、低压化学气相沉积（LPCVD）、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积（MOCVD）等。 3.1 热化学气相沉积（TCVD） 热化学气相沉积是指采用衬底表面热催化方式进行的化学气相沉积。该方法沉积温度较高，一般在800℃~1200℃左右，这样的高温使沉底的选择受到很大限制，但它是化学气相沉积的经典方法。 3.1.1 热化学气相沉积装置 热化学气相沉积装置，它包括相互关联的三个部分：气相供应系统、沉积室或反应室以及排气系统。 3.1.2影响沉积质量的因素 化学反应 对于同一种沉积材料，采用不同的沉积反应，其沉积质量是不一样的。这种影响主要来自两个方面：一是沉积反应不同引起沉积速度的变化，沉积速度的变化有影响相关的扩散过程和成膜过程，从而改变薄膜的结构；二是沉积反应往往伴随着一系列的掺杂副反应，反应不同导致薄膜组分不同，从而影响沉积质量。 沉积温度 沉积温度是化学气相过程最重要的工艺条件之一，它影响沉积过程的各个方面。首先，它影响气体的质量输送过程。温度不同，反应气体和气态产物的扩散系数不同，导致反应界面气相的过饱和度和气象物种沉积出固相的相对活度不同，