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第一章 半导体二极管 I类题 一、简答题 1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？ 答杂质半导体有P型半导体和N半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。 2．什么是PN结？PN结最基本的特性是什么？ 答；P型半导体和N型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN结。PN结最基本的特性是单向导电性。 3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？ 答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。 二、计算题 1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？ 答：b不亮 2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y的电位UY及各元件（R，VDA，VDB）中通过的电流；（1）UA=UB=0V；（2）UA=+3V，UB=0V； 答：（1）VY=0V SKIPIF 1 0 SKIPIF 1 0 （2）DB导通，DA截止 VY=0V SKIPIF 1 0 SKIPIF 1 0 SKIPIF 1 0 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求UAO=？ 答：a）图中，二极管导通，UAO=-6V；b）图，二极管截止，UAO=-12V；c）图V1导通，V2截止，UAO=0V。 II类题 一、简答题 1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？ 答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。 2．光电二极管和发光二极管有什么区别？ 答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。 3． 为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。加不同电压时二极管的内阻不同，而万用表的不同电阻档的表笔之间的电压不同，造成测量值差别很大。 二、计算题 1．电路图如下图所示，已知输入电压为正弦波，设二极管为理想元件，试画出uo的波形。 2．据表a)、b)所给输入值，判断二极管的工作状态。确定uo的值，并将结果填入表中。 3．为防止电源极性接反或通过电流过大而损坏表头，常在表头处串联或并联一个二极管，如下图所示。试分别说明为什么这两种接法的二极管都能对表头起保护作用？ 答；串联二极管，目的是防止电源极性接反；并联二极管目的是防止电流过大而损坏。 第二章.半导体三极管及其放大电路 I类题 一、简答 1．三极管的主要功能是什么？三极管放大的外部条件是什么？ 答：电流放大。放大的外部条件是发射结正偏、集电结反偏。 2．从三极管的输出特性曲线上看，三极管有哪三个工作区？各区有什么特点？ 答：截止区、饱和区、放大区。截止区：IB=0，IC=0，UCE=UCC，类似开关断开。饱和区：IC很大，UCE很小，类似开关闭合。放大区：IC受IB的控制，IC/IB=β，为线性关系。 3． 若测得放大电路中的几个三极管三个引脚对地的电位U1、U2、U3分别为下述数值，试判断它们是硅管还是锗管，是NPN型还是PNP型？并确定三个电极。 (1) U1=2.5V 　　 U2=6V U3=1.8V (2) U1=2.5V U2=-6V 　 U3=1.8V (3) U1=-6V 　 U2=-3V U3=-2.8V (4) U1=-4.8V U2=-5V U3=0V 答：（1）NPN型硅管1-B，2-C，3-E；（2）PNP型硅管1-E，2-C，3-B；（3）PNP型锗管1-C，2-B，3-E；（4）NPN型锗管1-B，2-E，3-C。 4． 判断下图所示电路有无正常的电压放大作用。 答：（a）不能，因为无集电极电阻，所以无法实现电压放大。 （b）不能，因为发射结零偏，三极管工作截止状态，所以无法实现电压放大。 5． 什么是交越失真？如何消除交越失真？ 答：在乙类放大状态，在输入交流信号过零处，有两管都不导通的时间段，产生的失真叫交越失真。解决办法：给两管的发射结加上很小的正向偏压，使管子在静态时都处于弱导通状态。 6．射极输出器有什么特点？ 共集电极电路。电压串联负反馈。无电压放大和反相作用，但有电流和功率放大能力。输入电阻大，输出电阻小。 二、计算 1．电路如下图所示，已知UCC＝12V，RC＝3k?，β＝40 且忽略UBE，若要使静态时UCE＝9V，则RB 应取多少？输入电阻为多少？输出电阻为多少？ 答：由 SKIPIF 1 0 知 SKIPIF 1 0 SKIPIF 1 0