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第 36 卷第 11 期 单英春 等：成分对两步热压烧结 Y-α-sialon 微观结构和致密度的影响 · 1629 · 第 36 卷第 11 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 36 ，No. 11 2008 年 11 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY November ，2008 超高压成型与无压烧结制备细晶碳化硅陶瓷 1 1,2 1 1 徐光亮 ，宋春军 ，曹林洪 ，熊 昆 (1. 西南科技大学新材料研究所，材料科学与工程学院，四川 绵阳 621010 ；2. 中国科学院合肥物质研究院 固体物理研究所，合肥 230031) 摘 要：借助两面顶超高压设备，通过冷等静压和超高压成型制备了相对致密度60% 的 SiC 陶瓷生体。在低压流动氮气保护下，无压烧结获得了晶 粒尺寸在 200 nm 左右的高致密的 SiC 陶瓷。利用扫描电镜、X 射线衍射对烧结体的断面形貌和相组分进行分析。结果表明：超高压处理能够提高坯 体及烧结体的致密度，并有助于抑制晶粒的长大。添加 12%烧结助剂[Al O (平均粒度约为 80 nm)和 Y O (平均粒度约为 50 nm)] ，经 4.5 GPa，6 min 2 3 2 3 超高压成型的 SiC 样品，在 1 850 ℃或 1 900 ℃烧结0.5 h 后的相对密度分别达到 95.3%和 98.3% 。这种样品的烧结致密化机制为Y Al O 液相烧结。 3 5 12 关键词：碳化硅；超高压成型；无压烧结 中图分类号：TB383 文献标识码：A 文章编号：0454–5648(2008)11–1629–04 FINE GRAIN SILICON CARBIDE CERAMICS PREPARED BY ULTRAHIGH PRESSURE COMPACTING AND PRESSURELESS SINTERING XU Guangliang 1 1,2 1 1 ，SONG Chunjun ，CAO Linhong ，XIONG Kun (1. New Materials Laboratory, School of Material Science and Technology, Southwest University of Science and Technology, Mian- yang 621010, Sichuan; 2. Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China) Abstract: SiC green bodies with relative density over 60% were prepared through cooling isostatic pressing and ultr