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第四章 半导体材料概述 第四章 半导体材料概述 4.1 半导体材料的晶体结构与分类 4.2 元素半导体 4.3 化合物半导体 4.4 有机半导体 4.5 非晶半导体 4.6 精细结构半导体 2）元素的电负性与原子的结合 电负性：原子吸引其在化合键中与另一个原子之共有电子偶的能力。 其值为：原子的电离能与电子亲和能之和。 其一般规律为：价电子数相同的原子，电子壳层越多，电负性越弱，电子壳层数相同的原子，价电子数越多，电负性越强。 电负性决定原子结合性质 同种元素结合：电负性小者倾向于按金属键结合（铜、银、金），电负性大者倾向于按共价键结合（金刚石、硅、锗） 化合物结合：电负性差别较大的两种元素倾向于按离子键结合；电负性差别不大的两种元素倾向于按共价键结合 晶体是由原子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体物质，具有规则几何外形。 晶体之所以具有规则的几何外形，是因其内部的质点作规则的排列，实际上是晶体中最基本的结构单元重复出现的结果。 晶胞参数 我们把晶体中重复出现的最基本的结构单元叫晶胞。 构成晶胞的六面体的三个边长a、b、c及三个夹角α、β、γ称为晶胞参数。 它们决定了晶胞的大小和形状。 七大晶系 晶胞中质点的占有率 体心 面心 棱边 顶角 金刚石结构 闪锌矿结构 纤锌矿结构 半导体的晶体结构 硒 结晶炭 灰锡 锗 硅 周期表中半导体相关元素 1、硒 实际应用的最早半导体材料 禁带较宽，大于1.7ev 分晶体和非晶体，晶体硒有两种同素异形体（红硒、灰硒） 主要用来制作光电池、摄像靶、整流器； 硒整流器具有耐高温、特性稳定、过载能力强等优点 2、结晶炭 1）金刚石 金刚石薄膜具有禁带很宽、高热导率、高临界击穿电场、高电子饱和速度、低介电常数，适合制造高性能电力电子器件和高温电子学器件 电阻率很高，但掺杂可使电阻率降低 高热导率 ，可作切割工具燃料 对光的折射率高，吸收系数低，在光电子学领域存在潜在的应用价值 2）C60 C60分子由五原环和六元环构成的炭笼分子结构 常温常压下发生向金刚石转变的结构变相，为金刚石的人工合成提供了潜在的新途径 金刚石薄膜CVD淀积前在衬底上涂一层C60对成核起明显促进作用 3）碳纳米管（CNT） 碳纳米管是一种长约不到数微米、直径数纳米到数十纳米的中间空闭合管状物。 螺旋矢量参数（n,m）,只有n-m=3k(k为非零整数)的碳纳米管为半导体，其余为导体 替代硅进一步缩小高集成电路尺寸，提高电路运算速度有了希望 3、灰锡 锡有两种同素异形体，灰锡和白锡 灰锡：不稳定；具有金刚石结构，立方晶系 白锡：四方晶系 窄禁带特征有可能用于远红外探测器方面 4、 锗 1871年，俄国科学家门捷列夫寓言，元素周期表Si和Sn之间存在着一个“类硅”的元素。 1886年，德国科学家温克莱尔首先从银硫锗矿中分离出Ge，并将其命名为Ge（Germanium）以纪念他的祖国。 Ge是半导体研究的早期样板材料，在20世纪50年代，Ge是主要的半导体电子材料 锗的分布 锗在地壳中含量约为百万分之一，分布极为分散，常归于稀有元素； 1. 在煤和烟灰中； 2. 与金属硫化物共生； 3. 锗矿石 锗的应用 属金刚石结构 由于Ge的禁带较窄，器件稳定工作温度远不如硅器件高，加之资源有限，目前，Ge电子器件不到总量的10%，主要转向红外光学等方面。 硅的分布 氧化硅 化学性质 晶体结构 能带结构 电学性质 硅中的杂质 硅的优点 硅的用途 硅石(硅的氧化物)、水晶早为古代人所认识，古埃及就已经用石英砂为原料制造玻璃。 由于硅石化学性质稳定，除了氢氟酸外，什么酸也不能侵蚀它、溶解它，因此长期以来人们把它看成是不能再分的简单物质。 大约在18世纪70年代，化学家们用萤石与硫酸作用发现氢氟酸以后，便打开了人们认识硅石复杂组成的大门。 尤其在电池发明以后，化学家们利用电池获得了活泼的金属钾、钠，初步找到了把硅从它的化合物中分离出来的途径。? 1823年，瑞典化学家贝采里乌斯(Berzelius J.J.)用金属钾还原四氟化硅或用金属钾与氟硅酸钾共热，首次制得较纯的粉状单质硅。 1854年，法国人德维尔（S.C.Deville）用混合物氯化物熔盐电解法制得晶体硅。 地壳中各元素的含量 硅的分布 硅在自然界分布极广，地壳中约含26.3％， 在自然界中是没有游离态的硅 主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。 硅的化学性质 原子序数14，相对原子质量28.09，有无定形和晶体两种同素异形体，属于元素周期表上IVA族的类金属元素。