第20章 IBIS模型原理和功能.pdfVIP

IBIS模型原理和功能 何宾 2015.07 学习内容和目标 IBIS模型定义 IBIS发展历史 IBIS模型生成 IBIS模型所需数据 IBIS文件格式 IBIS模型验证 Copyright © 2009 Altium Limited 2 IBIS模型定义  IBIS是一个行为模型，通过V/I和V/T数据，描述器件数字输入和 输出的电气特性，而不会泄露任何元器件专有的信息。  IBIS模型与系统设计人员对传统模型的理解不同，比如：其它模 型中使用原理图符号或多项式表达式。  IBIS模型包括：  输出和输入引脚中的电流和电压值的关系。  在上升或下降的转换条件下，输出引脚的电压与时间关系。  这些数据代表了器件的行为。 Copyright © 2009 Altium Limited 3 IBIS模型定义  IBIS模型用于对系统板上的信号完整性进行分析。  通过IBIS模型，系统设计人员能够仿真并预见连接不同器件的传输线路 中基本的信号完整性问题。  IBIS是一种精确的模型，这是因为模型考虑了I/O结构的非线性，ESD 结构和封装寄生效应。 Copyright © 2009 Altium Limited 4 IBIS模型定义  相对于其它传统模型（例如：SPICE ）来时，IBIS模型有以下优 势：  仿真时间最多可缩短25倍。  IBIS没有SPICE不收敛的问题。  IBIS可以在任何行业平台运行。 Copyright © 2009 Altium Limited 5 IBIS发展历史  IBIS模型由Intel公司在上世纪90年代初开发。IBIS 1.0版本于 1993年6月发布，IBIS开放式论坛也在那时成立。  IBIS开放式论坛包括EDA厂商、计算机制造商、半导体厂商、大学和终 端用户  它负责提议进行更新和评审、修订标准，组织会议。它促进IBIS模型的 发展，在IBIS网站上提供有用的文档和工具。 Copyright © 2009 Altium Limited 6 IBIS发展历史  1995年，IBIS开放式论坛与电子工业联盟（EIA ）开始进行合作  目前，已经发布了几个IBIS版本。第一个版本描述了CMOS电路和TTL I/O缓冲器。  每个版本都增加并支持新的功能、技术和器件种类。所有版本都互相兼 容。  IBIS 4.0版本由IBIS开放式论坛在2002年7月批准，但它还不是ANSI/EIA 标准。 Copyright © 2009 Altium Limited 7 IBIS模型生成  可以通过仿真过程中或基准测量中收集的数据来获得IBIS模型  如果选择前一种方法，可以在使用SPICE进行仿真时，收集每个输出/ 输出缓冲器的V/I和V/T数据。  这样，可以在模型中包含过程转折数据。然后，使用IBIS网站上的 SPICE至IBIS转换程序，由SPICE模型生成IBIS模型。 Copyright © 2009 Altium Limited 8 IBIS模型生成  可以在三种不同条件下生成模型：典型、最小和最大。其中：  在典型模型中，使用标称电源电压、温度和工艺参数获取数据。  在最小模型中，使用最低电源电压、较高温度和较弱工艺参数获取数据 。  对于最大模型，条件是最高电源电压、较低温度和较强的工艺参数。 Copyright © 2009 Altium Limited 9 IBIS模型生成  每种条件会产生相应的典型、慢速和快速模型。即：  具有快速转换时间和最小封装特性的最高电流值条件下生成快速模型。  具有较慢转换时间和最大封装值的最低电流值条件将生成慢速模型。  如果数据是在实验室测量中获得的，那么模型取决于器件的