第3章节 门电路 福州大学课件数字电子技术基础资料.pptVIP

第3章 门电路 目录： 3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 3.5 TTL门电路 3.1 概述 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······ 获得高、低电平的基本原理 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 数字电路的分类 分立元件门电路 集成电路 按集成度分为： SSI－Small Scale Integration（1－10门/片） MSI－Medium Scale Integration（10－100门/片） LSI－Large Scale Integration （100－10000门/片） VLSI－Very Large Scale Integration（10000门/片） 集成电路 双极型——二极管、三极管 特点：功耗大、速度高、集成度低 单极型——MOS管 特点：功耗低、速度高、集成度高 3.2 半导体二极管门电路 2. 二极管的开关等效电路： 3.二极管的动态电流波形： 3.2.2 二极管与门 3.2.3 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点： 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC电路内部的基础单元 3.3 CMOS门电路3.3.1 MOS管的开关特性 一、MOS管的结构 以N沟道增强型为例： 三、 MOS管的开关等效电路 四、M