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第三章 存储系统 3.1 存储器概述 3.2 随机读写存储器 3.3 只读存储器和闪速存储器 3.4 高速存储器 3.5 cache存储器 3.6 虚拟存储器 3.7 存储保护 3.4 高速存储器 介绍三种高速存储器 双端口存储器 多模块交叉存储器 相联存储器 Why需要高速存储器? CPU进行一次总线操作(如从总线取存储器送来的数据)的时间远比存储器进行一次读写操作的时间短,为使存储器能跟上CPU的速度,必须提高存储器的访问速度。 How提高存储器访问速度? 几条途径: 设计更快的存储器,缩短存储器读写周期时间 使用可并行访问的存储器(双端口存储器) 存储器划分成多个模块,使CPU一次可存取多个字 采用存储层次(cache技术) 1、双端口存储器 双端口存储器是指同一个存储器具有两组相互独立的读写控制线路。在采用流水线结构的CPU中,流水线的不同部件可以同时访问存储器。 双端口存储器IDT7133例 详细图见P98 图3.27 双端口存储器逻辑示意图 2、多模块交叉存储器 多模块交叉存储器是将存储器分成多个模块,每个模块都有自己独立的读写逻辑。CPU可以同时存取每个模块的一个单元,从而实现在一个存储周期内并行访问多字,以提高访存速度。 多模块存储器与双端口存储器的不同 对双端口存储器而言,CPU的不同部件可以同时访存;而在多模块存储器中,CPU的同一部件在时间上交错开来,访问存储器的不同模块。 双端口存储器系统需配置双总线,保证CPU的不同部件真正地同时访存;而在多模块交叉存储系统中,只需单总线即可,存储器的多个模块交叉使用总线。 (1)多模块交叉存储器地址组织 将存储器分解成由若干模块组成,在对各模块进行地址组织时有两种编址方式: ◆顺序编址方式 ◆交叉编址方式 两种不同的编址方式直接影响到多模块并行访问的实现。 以下通过例子进行说明: 设某机器存储器共有32个字(地址从0到31),分成4个模块M0-M3,每模块8字。 顺序编址方式 地址按模块顺序编址: M0:00 01 02 03 04 05 06 07 M1:08 09 10 11 12 13 14 15 M2:16 17 18 19 20 21 22 23 M3:24 25 26 27 28 29 30 31 交叉编址方式 地址按模块交叉编址: M0:00 04 08 12 16 20 24 28 M1:01 05 09 13 17 21 25 29 M2:02 06 10 14 18 22 26 30 M3:03 07 11 15 19 23 27 31 哪种方式适合CPU并行访问? 由于CPU访存通常是按顺序访问的,若要一次并行存取4个字,这4个字地址也往往是连续的。 若采用顺序编址的4个模块构成存储器,则CPU访问的这4个字或全部落在一个模块或落在两个不同模块上,这样就实现不了CPU一次并行存取4个字的要求。 而采用交叉编址的4个模块构成存储器,则CPU访问的这4个字将分别落在4个不同模块上,这样就可能实现CPU一次并行存取4个字的要求。 (2)多模块交叉存储器基本结构 为交叉编址的每个模块再配以独立的读写控制电路,才构成完整的多模块交叉存储器。 如图示。 定量分析 下面定量分析一下采用多模块交叉存储器所能提高的CPU访存速度。 设模块字长等于数据总线宽度 T:存储模块读写周期 τ:总线传送周期(即CPU从总线取走一个数据的时间) m:存储模块数 为了实现并行存取(流水线方式),应当满足 T=mτ?????(m=T/τ称为交叉存取度) 设连续存取m个字,则总时间为: 对于顺序访问方式:T1=mT 对于顺序访问方式:T2=T+(m-1)τ 3、相联存储器 相联存储器又称按内容访问存储器(Content Access Memory,简称CAM)除了具有RAM的按地址访问单元内容的功能外,还具有按内容查找相关单元的功能。 CAM主要用于硬件的快速查表。 (1)相联存储器的基本原理 相联存储器是将存储单元所存内容的某一部分作为检索项(即关键字项),去检索该存储器,并对存储器中与该检索项符合的存储单元内容进行读出或写入。 例以下学生成绩表存储在n开始的单元中: 现要查询某学生的成绩(已知姓名查成绩) 常规做法是从n单元开始逐个查询,找到姓名相符的学生后将其成绩读出即可。 若采用相联存储器存储该表,则可以已知学生的姓名作为关键字,同时与所有单元的姓名段相比较,将相符的单元的成绩段的内容读出即是。这种查表比前者速度大大提高。 (2)相联存储器的组成 相联存储器由存储体、检索寄存器、屏蔽寄存器、符合寄存器、比较线路、代码寄存器、控制线路等组成。 如图示。 请预习: P105 “3.5 cache存储器”
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