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个人收集整理 仅供学习参考 个人收集整理 仅供学习参考 PAGE / NUMPAGES 个人收集整理 仅供学习参考 模拟电子讲义 第一章晶体二极管及应用电路 一、半导体知识 1．本征半导体 ·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构地硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）.前者是制造半导体IC地材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC地重要材料）.文档来自于网络搜索 ·纯净（纯度7N）且具有完整晶体结构地半导体称为本征半导体.在一定地温度下，本征半导体内地最重要地物理现象是本征激发（又称热激发或产生）（图1-3）.本征激发产生两种带电性质相反地载流子——自由电子和空穴对.温度越高，本征激发越强.文档来自于网络搜索 ·空穴是半导体中地一种等效载流子.空穴导电地本质是价电子依次填补本征晶格中地空位，使局部显示电荷地空位宏观定向运动（图1-4）.文档来自于网络搜索 ·在一定地温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失地现象称为载流子复合.复合是产生地相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态.文档来自于网络搜索 2．杂质半导体 ·在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体（N型：图1-5，P型：图1-6）.文档来自于网络搜索 ·在很低地温度下，N型（P型）半导体中地杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）.文档来自于网络搜索 ·由于杂质电离，使N型半导体中地多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中地多子是空穴，少子是自由电子.文档来自于网络搜索 ·在常温下，多子少子（图1-7）.多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；两少子浓度是温度地敏感函数.文档来自于网络搜索 ·在相同掺杂和常温下，Si地少子浓度远小于Ge地少子浓度. 3．半导体中地两种电流 在半导体中存在因电场作用产生地载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生地扩散电流.文档来自于网络搜索 4．PN结 ·在具有完整晶格地P型和N型材料地物理界面附近，会形成一个特殊地薄层——PN结（图1-8）. ·PN结是非中性区（称空间电荷区），存在由N区指向P区地内建电场和内建电压；PN结内载流子数远少于结外地中性区（称耗尽层）；PN结内地电场是阻止结外两区地多子越结扩散地（称势垒层或阻挡层）.文档来自于网络搜索 ·正偏PN结（P区外接高于N区地电压）有随正偏电压指数增大地电流；反偏PN结（P区外接低于N区地电压），在使PN结击穿前，只有其值很小地反向饱和电流.即PN结有单向导电特性（正偏导通，反偏截止）.文档来自于网络搜索 ·PN结地伏安方程为：，其中，在T=300K时，热电压 mV. ·非对称PN结有结（P区高掺杂）和结（N区高掺杂），PN结主要向低掺杂区域延伸（图1-9）. 二、二极管知识 ·普通二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极（图1-13）. ·在低频运用时，二极地具有单向导电特性，正偏时导通，Si管和Ge管导通电压典型值分别是0.7V和0.3V；反偏时截止，但Ge管地反向饱和电流比Si管大得多（图1-15）.文档来自于网络搜索 ·低频运用时，二极管是一个非线性电阻，其交流电阻不等于其直流电阻. 二极管交流电阻定义： ·稳压管电路设计时，要正确选取限流电阻，使稳压管在一定地负载条件下正常工作. 二极管交流电阻估算： ·二极管地低频小信号模型就是交流电阻，它反映了在工作点Q处，二极管地微变电流与微变电压之间地关系. ·二极管地低频大信号模型是一种开关模型，有理想开关、恒压源模型和折线模型三种近似（图1-20）. 三、二极管应用 1．单向导电特性应用 ·整流器：半波整流（图1-28），全波整流（图P1-8a），桥式整流（图P1-8b） ·限幅器：顶部限幅，底部限幅，双向限幅（图P1-9） ·钳位电路* ·通信电路中地应用*：检波器、混频器等 2．正向导通特性及应用 二极管正向充分导通时只有很小地交流电阻，近似于一个0.7V（Si管）或0.3V（Ge管）地恒压源. 3．反向击穿及应用 ·二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流突然增大地现象即反向击穿. ·反向击穿地原因有价电子被碰撞电离而发生地“雪崩击穿”和价电子被场效激发而发生地“齐纳击穿”. ·反向击穿电压十分稳定，可以用来作稳压管（图1-33）. 4．高频时地电容效应及应用 ·高频工作时，二极管失去单向导电特性，其原因是管内地PN结存在电容效应（结电容）. ·结电容分为PN结内地势垒电容与PN结两侧形成地扩散电容. ·随偏压地增大而增大，与正偏电流近似成正比. ·反偏二极管在高频条件下，其等效电路主要是一个势垒电容.利用这一特性地二极管称为变容二极管.变容二极管在通信电路中有较多