面向相变存储器测试的精密电流源设计-微电子学与固体电子学专业毕业论文.docxVIP

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独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研 究成果。尽我所知,除文中已经标明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集 体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体,均已在文中 以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名: 日期: 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保 留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本 人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索, 可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 本论文属于 保 密□,在 年解密后适用本授权书。 不保密□。 (请在以上方框内打“√”) 学位论文作者签名: 指导教师签名: 日期: 年 月 日 日期: 年 月 日 华 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 摘 要 相变存储器是以相变材料为存储介质的新型非易失性半导体存储器,它利用电脉 冲产生的焦耳热使相变材料产生较大阻值差异的可逆相变实现信息存储,因此脉冲电 流源是相变存储器实现信息存储的关键器件,本文采用两种方案对用于相变存储器测 试的精密脉冲电流源进行研究设计。 本文根据相变存储器的工作原理以及其对测试用脉冲电流源的要求,采用模块化 设计思想,利用现有集成度高的成熟芯片设计了用于相变存储器测试的超宽带精密电 流源。纳秒级窄脉冲产生电路采用数字电路方法,利用 CPLD 芯片作为脉冲产生电路 的逻辑控制单元,在精密可编程延迟芯片 DS1020 的作用下产生脉冲宽度步进可调的 纳秒级窄脉冲,脉冲幅值控制电路是由 D/A 转换芯片产生的模拟电压控制,最后电流 驱动部分采用激光二极管驱动芯片 EL6257 实现,脉冲电流的幅值和宽度可以通过上 位机设置。 本文针对相变存储器高速低功耗测试的需要,对一种基于 MOS 管的低功耗精密 电流镜进行了研究分析,并利用 Pspice 仿真软件,建立仿真模型,基于 TSMC 0.18 μm CMOS,BSIM3,Level49 工艺对此电流镜的性能进行仿真验证,仿真结果表明此电路 输出电流精确度高稳定性好,并且可以达到很宽的带宽,适合用作相变存储器测试的 激励脉冲源。 同时本文针对脉冲电流源的具体应用,介绍了相变存储单元瞬态电流的测量方 法,并根据测量电路等效电路模型分析影响测量的因素,最终实现了相变存储单元瞬 态电流,R-I 特性曲线的精确测量。 研究结果表明,本论文研究设计的精密电流源在脉冲宽度和脉冲幅值上可精确可 调,为相变存储器的测试奠定了基础。 关键词: 相变存储器 精密脉冲电流源 瞬态电流测量 电流镜 I II II Abstract Phase change memory(PCM),which is based on chalcogenide alloy,is one of emerging nonvolatile memories.It makes use of the Joules heat induced by electrical pulses to achieve information storage in phase change material which can reversibly change between the polycrystalline state and amorphous state.Therefore,the pulse current source is a key component which is used to achieve information storage in phase change memory.In this thesis,we use two methods to design precision current sources for phase change memory measurement. According to the principle of the phase change memory and its requirement of testing current source,by using modular design method and integrated chips ,we design a pulse current source with the core chips of CPLD and the precision programming delay chip, the width of the current s

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