场效应管及其基本放大电路.docVIP

3.2.3 场效应管及其基本放大电路 3.2.3.1场效应管（FET） 1.场效应管的特点 场效应管诞生于20世纪60年代，它主要具有以下特点： ①它几乎仅靠半导体中的多数载流子导电，故又称为单级型晶体管。 ②场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路的电流，并以此命名。 ③输入回路的内阻高达107-1012Ω；另外还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电小，体积小、重量轻、寿命长等特点，因而广泛地应用于各种电子电路中。 场效应管分为结型和绝缘栅型两种不同的结构，下面分别加以介绍。 2.结型场效应管 ⑴结型场效应管的符号和N沟道结型场效应管的结构 结型场效应管（JFET）有N沟道和P沟道两种类型，图3-62(a)所示为它们的符号。 N沟道结型场效应管的结构如图3-62(b)所示。它在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，引出电极，称为栅极G；N型半导体的两端分别引出两个电极，一个称为漏极D，一个称为源极S。P区与N区交界面形成耗尽层，漏极与源极间的非耗尽层区域称为导电沟道。 (a)符号 (b)N沟道管的结构示意图 图3-62 结型场效应管的符号和结构示意图 ⑵结型场效应管的工作原理 为使N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅-源之间加负向电压（即 SKIPIF 1 0