集成电路基本工艺.pptVIP

* 尽管有些器件和IC可以直接做在未外延的基片上,但大多数器件和IC都做在经过外延生长的衬底上.原因是未外延过的基片性能常常不能满足要求. * * * * 光刻胶有两种：正性(positive)与负性(negative)。正性胶显影后去除的是经曝光的区域的光刻胶，负性胶显影后去除的是未经曝光的区域的光刻胶。 正性胶适合作窗口结构, 如接触孔, 焊盘等，而负性胶适用于做长条形状如多晶硅和金属布线等。 常用OMR83,负片型。 光刻胶对大部分可见光灵敏，对黄光不灵敏，可在黄光下操作。 * * 3. X射线制版 由于X射线具有较短的波长。它可用来制作更高分辨率的掩膜版。X-ray掩膜版的衬底材料与光学版不同，要求对X射线透明，而不是可见光或紫外线，它们常为Si或Si的碳化物。而Au的沉淀薄层可使得掩膜版对X射线不透明。X射线可提高分辨率，但问题是要想控制好掩膜版上每一小块区域的扭曲度是很困难的。 * 4. 电子束扫描法(E-Beam Scanning) 采用电子束对抗蚀剂进行曝光，由于高速的电子具有较小的波长，分辨率极高。先进的电子束扫描装置精度50nm，这意味着电子束的步进距离为50nm，轰击点的大小也为50nm。 * 电子束光刻装置: LEICA EBPG5000+ * 电子束制版三部曲 1) 涂抗蚀剂,抗蚀剂采用PMMA. 2) 电子束曝光,曝光可用精密扫描仪，电子束制版的一个重要参数是电子束的亮度，或电子的剂量。 3) 显影: 用二甲苯。二甲苯是一种较柔和的有弱极性的显影剂，显像速率大约是MIBK/IPA的1/8，用IPA清洗可停止显像过程。 * 电子束扫描法(续) 电子束扫描装置的用途: 制造掩膜和直写光刻。 电子束制版的优点： 高精度 电子束制版的缺点： 设备昂贵 制版费用高 * 第3章 IC制造工艺 3.1 外延生长 3.2 掩膜制作 3.3 光刻原理与流程 3.4 氧化 3.5 淀积与刻蚀 3.6 掺杂原理与工艺 * 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK，挖掘工艺潜力。 3.3 光刻原理与流程 在IC的制造过程中，光刻是多次应用的重要工序。其作用是把掩膜上的图型转换成晶圆上的器件结构。 * 3.3.1 光刻步骤 一、晶圆涂光刻胶： 清洗晶圆，在200?C温度下烘干1小时。目的是防止水汽引起光刻胶薄膜出现缺陷。 待晶圆冷却下来，立即涂光刻胶。 晶圆再烘，将溶剂蒸发掉，准备曝光 二、曝光: 光源可以是可见光,紫外线, X射线和电子束。 光量, 时间取决于光刻胶的型号，厚度和成像深度。 三、显影: 晶圆用真空吸盘吸牢，高速旋转，将显影液喷射到晶圆上。显影后，用清洁液喷洗。 四、烘干: 将显影液和清洁液全部蒸发掉。 * 正性胶与负性胶光刻图形的形成 * 涂光刻胶的方法 光刻胶通过过滤器滴入晶圆中央，被真空吸盘吸牢的晶圆以2000 ?8000转/分钟的高速旋转，从而使光刻胶均匀地涂在晶圆表面。 * 3.3.2 曝光方式 1. 接触式曝光方式中，把掩膜以0.05 ?0.3ATM 的压力压在涂光刻胶的晶圆上，曝光光源的波长在0.4?m左右。 * 曝光系统 * 点光源产生的光经凹面镜反射得发散光束，再经透镜变成平行光束，经45?折射后投射到工作台上。 接触式曝光方式的图象偏差问题 原因:光束不平行，接触不密有间隙 * 举例: ????， y+2d=10?m, 则有 (y+2d)tg?=0.5?m 掩膜和晶圆之间实现理想接触的制约因素 掩膜本身不平坦， 晶圆表面有轻微凸凹， 掩膜和晶圆之间有灰尘。 * 接触式曝光方式的掩膜磨损问题 掩膜和晶圆每次接触产生磨损，使掩膜可使用次数受到限制。 非接触式光刻 1.接近式 接近式光刻系统中，掩膜和晶圆之间有20?50?m的间隙。这样，磨损问题可以解决。但分辨率下降，当????时，无法工作。这是因为，根据惠更斯原理，小孔成像，出现绕射，图形发生畸变。 * 缩小投影曝光系统 2.投影式工作原理: 水银灯光源通过聚光镜投射在掩膜上。 掩膜比晶圆小，但比芯片大得多。在这个掩膜中，含有一个芯片或几个芯片的图案，称之为母版，即 reticle。 光束通过掩膜后，进入一个缩小的透镜组，把 reticle 上的图案，缩小5~10倍，在晶圆上成像。 * * 缩小投影曝光系统示意图 缩小投影曝光系统的特点 由于一次曝光只有一个Reticle上的内容，也就是只有一个或几个芯片，生产量不高。 由于一次曝光只有一个或几个芯片，要使全部晶圆面积曝光，就得步进。 步进包括XY工作台的分别以芯片长度和宽度为步长的移动和Reticle内容的重复曝光。 投影方式分辨率高，且基片与掩膜间距较大, 不存在掩膜磨损问题。 * 第3章 IC制造工艺 3.1 外