基于DSP光纤周界报警系统的研究报告书定稿.docVIP

基于DSP的光纤周界报警系统 的研究报告  目 录 TOC \o 1-3 \h \u HYPERLINK \l _Toc19954 摘 要 l _Toc13994 1.作品设计、发明的目的和基本思路 l _Toc3767 1.1、作品设计、发明的背景 l _Toc9565 1.2、作品设计、发明的目的 l _Toc17593 2.作品结构方案 l _Toc15793 2.1、光纤传感器 l _Toc2768 2.1.1、激光发射器 l _Toc974 2.1.2、光电转换器 l _Toc7798 2.1.3、光纤耦合器 l _Toc2440 2.2、信号调理电路 l _Toc29542 2.3、DSP信号处理 l _Toc24576 2.3.1、DSP系统 l _Toc22854 2.3.2、DSP主程序设计 l _Toc14117 2.3.3、数字滤波程序设计 l _Toc27555 2.3.4、事件判断程序设计 l _Toc8772 2.4.监控系统 l _Toc1733 2.4.1、LCD显示系统 l _Toc29191 2.4.2、声光报警系统 l _Toc4131 3. 系统创新点和优势 l _Toc22426 3.1、创新点 l _Toc6017 3.2、优势 l _Toc25042 4.市场前景分析 * GB2 \* MERGEFORMAT ⑴光电效应 ??光电转换器件主要是利用物质的光电效应，即当物质在一定频率的光的照射下，释放出光电子的现象。当光照射金属、金属氧化物或半导体材料的表面时，会被这些材料内的电子所吸收，如果光子的能量足够大，吸收光子后的电子可挣脱原子的束缚而逸出材料表面，这种电子称为光电子，这种现象称为光电子发射，又称为外光电效应。有些物质受到光照射时，其内部原子释放电子，但电子仍留在物体内部，使物体的导电性增加，这种现象称为内光电效应。 = 2 \* GB2 \* MERGEFORMAT ⑵光电导效应 ??某些半导体材料在光的照射下，内部电子吸收光子后，挣脱原子的束缚而形成自由电子，使其导电性能增加，电阻率下降，这种半导体器件称为光敏电阻，这种现象称为光电导效应。当光停止辐照后，自由电子又被失去电子的原子所俘获，其电阻率恢复原值。利用光敏电阻的这种特性制成的光控开关在我们日常生活中随处可见。 = 3 \* GB2 \* MERGEFORMAT ⑶二次电子发射效应 ??当电子轰击某物体时，如果该电子的动能足够大，被轰击物体将会有新的电子发射出来，该现象称为二次电子发射效应。轰击物体的电子称为一次电子，物体吸收一次电子后激励体内的电子到高能态，这些高能电子的一部分向物体表面运动，到达表面时仍具有足够的能量克服表面势垒而发射出来的电子称为二次电子。 ? 常用的光电转换器件主要有光敏电阻、光电倍增管、光电二极管等。 = 4 \* GB2 \* MERGEFORMAT ⑷光电二极管 ??光电二极管是典型的光电效应探测器，具有量子噪声低、响应会、使用方便等特点，广泛用于激光探测器。 ? 外加反偏电压于结内电场方向一致，当pn结及其附近被光照射时，就会产生载流子（即电子－空穴对）。结区内的电子－空穴对在势垒区电场的作用下，电子被拉向n区，空穴被拉向p区而形成光电流。同时势垒区一侧一个扩散长度内的光生载流子先向势垒区扩散，然后在势垒区电场的作用下也参与导电。当入设光强变化时，光生载流子的浓度及通过外回路的光电流也随之发生相应的变化。这种变化在入射光强很大的动态范围内仍能保持线性关系。 = 5 \* GB2 \* MERGEFORMAT ⑸伏安特性 当没有光照射时，光电二极管相当于普通的二极管。其伏安特性是 式中为流过二极管的总电流，为反向饱和电流，为电子电荷，为玻尔兹 曼常量，为工作温度，为加在二极管两端的电压。 ? 对于外加正向电压，I随V指数增长，称为正向电流；当外加电压反向时，在反向击穿电压之内，反向饱和电流基本上是个常数。对于硅光二极管来说，其伏安特性可表示为 式中是流过硅光电二极管的总电流，是反向光电流，是电流灵敏度，是入射光功率，因硅光二极管是反向偏压工作，故上式可简化为 硅光电二极管的伏安特性曲线相当于把普通二极管的伏安特性曲线向下平移。 2.1.3、光纤耦合器 光波在光纤传输过程中，当光纤受到外界作用时，将对光波的传输特性产生影响。围绕周界敷设一条光缆，利用光缆中的三条单膜光纤基于马赫．增特光纤干涉仪原理构成分布式微振动测试传感器，用于测试周界附近的振动信号。光缆中的两条光纤构成光纤干涉仪的两条测试光纤，而第三条光纤用于信号传输。其测试系统组成如图所示。 图2.1.3测试系统组成图 光源发出的连续光波从传感器