上海工程技术大学电工与电子技术课件 第五周.pptVIP

N型半导体和 P 型半导体 N型半导体和 P 型半导体 1.4.1 PN结 1 PN结的形成 2 PN结的单向导电性 2）. PN 结加反向电压（反向偏置） 2）. PN 结加反向电压（反向偏置） 1.4.2 半导体二极管 1 基本结构 2 伏安特性 3 主要参数 1.4.3 二极管电路分析举例 1.4.4 稳压二极管 3. 主要参数 1.5 半导体三极管 1.5.1 基本结构 1.5.1 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 晶体管电流测量数据 1.5.2 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 1.5.2 主要参数 1. 电流放大系数，? 1.5.3 简化的晶体管小信号模型 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大 变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质: 用一个微小电流的变化去控制一个较大电