崑山科技大学产学合作结案报告-崑山科技大学机构典藏.PDF

崑山科技大學 產學合作 結案報告 軟性基板上成長 AZO/Cu:Cr/AZO高導電電極及其於染敏電池耐電 解液特性研究 合作廠商 : 南訊開發科技有限公司 計畫主持人 :電機工程系 林天財 計畫期間 : 101.6.1~102.5.31 中華民國 102 年 10 月 16 日 軟性基板上成長 AZO/Cu:Cr/AZO高導電電極及其於染敏電池耐電解液特性研究 Growing highly conducting AZO/Cu:Cr/AZO electrodes on a flexible substrate and their anti-corrosive characteristics for an electrolyte of DSSC 計畫編號： NSC 101-2622-E-168-012-CC3 V 計畫類別：□個別型計畫 □整合型計畫 計畫主持人：林天財 E-Mail ：tienchai@mail.ksu.edu.tw 計畫參與人員：蔡福峻、藍偉哲、李國生 執行單位：崑山科技大學電機工程系 摘要 本實驗是在室溫下濺鍍成長AZO/Cr:Cu/AZO三層透明導電膜結構在玻璃及塑膠基板上，濺鍍AZO/ Cr:Cu /AZO研究三層薄膜中間多了 Cr:Cu層的導電率、穿透率、晶體結構之變化，製程條件分別為 : (1)固定 DC power 為30 瓦，中間Cr:Cu層的沉積時間為 30 秒，改變第一層和第三層AZO的沉積時間分別為 6 、8 、10 、13 及 15分鐘， RF功率為130瓦；(2)固定第一層和第三層 AZO層沉積的時間 10分鐘，改變Cr:Cu層的沉積時間分別是 10 、15 、20 、 30 、40 和 50秒，結果發現AZO沉積的時間在10分鐘，Cr:Cu沉積時間30秒於玻璃基板時具有最佳的光電指標2.10 × 10-3 ，片電阻為93.6 Ω/sq ，穿透率大約85% ，此時塑膠基板為1.39 × 10-3 ，片電阻為98.55 Ω/sq ，穿透率大約82% ， 由本實驗也可以得知在玻璃和塑膠基板上的阻值已經差別不大了。 關鍵字 : AZO/Cr:Cu/AZO 、透明導電膜 Abstract This experiment was performed at room temperature by sputtering grown AZO/Cr:Cu/AZO on glass and plastic substrates as transparent conductive film. The three layer of AZO/Cr:Cu/AZO film was sputtered to study the conductivity, transmittance, the change of crystal structure. The process conditions were: (1) a fixed DC power of 30 watts, the intermediate Cr:Cu layer deposition time of 30 seconds, change the first layer and the third layer the deposition time AZO as 6,8,10,13 and 15 minutes, respectively and RF power of 130 W; (2) fixing the first and the third layers AZO layer deposition time of 10 minutes, the Cr:Cu layer deposit