3 半导体二极管及其基本电路 .pptVIP

通常，正向压降测量值（数字万用表） 发光（1.8V）稳压（0.9V） 硅（0.7V） 锗=肖特基（0.2V） 复习提问 1、选择题 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为V，则二极管的电流方程是 。 A. ISeV B. C. （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 答案：（1）A （2）C （3）C 2、填空题 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 五价、三价、增大 （3）二极管折线模型 rD 求法（ ）。 （4）二极管交流小信号模型 rd 求法（ ）。 VREF为3V时的输出波形 VREF为1V时的输出波形 VREF为6V时的输出波形 反向限幅输出波形 二极管反向时的输出波形 双向限幅输出波形 2．模型分析法应用举例 （4）开关电路 电路如图所示，求AO的电压值 解： 先断开D，以O为基准电位， 即O点为0V。 则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。 阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-6V。 导通 导通 4.3 导通 截止 4.3 导通 截止 4.3 导通 导通 －0.7 例 题 分析下图所示电路中二极管的工作状态(导通或截止)，确定V0的值，设二极管正向压降为0.7V。 10kΩ VA VB D1 D2 ＋ － VO 0 0 0 0 5 5 5 5 VA／V VB／V D1 D2 VO／V P68，作业: 3.2.1, 3.2.2, 3.2.3 下次课内容:半导体二极管、基本电路与分析方法； 　　　　　特殊二极管（稳压二极管） 3.3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的参数 3.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 3.3.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 3.3.3 二极管的参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 极间电容Cd=CB+CD 当工作电压从正向电压变成反向电压时，电流不能瞬时截止，需延迟一段时间，延迟的时间就是反向恢复时间。Trr直接影响二极管的开关速度，在高频开关状态时，通常此值越小越好。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要，Trr越小管子升温越小，效率越高。 (6) 反向恢复时间Trr PIN开关二极管， Rf=7Ω(10mA) UMD2（1712） 0.9 - - 50 - RN771V 肖特基检波二极管 DO-35 2 1ns 0.65 40 0.2 1N60 高速开关二极管 DO-35 4 4ns 1.2 75 0.2 1N4148 DO-214 AA 0.5 40 2 SS24 DO-214 AC 0.5 40 1 SS14 DO-201AD 0.525 40 3 1N5822 肖特基二极管，反向恢复时间极短（Trr） DO-41 100-200 10ns 0.45 40 1 1N5819 超快恢复塑封二极管 DO-41 22 35ns 1.4 600 1 SF107 快恢塑封二极管 DO-41 15 500ns 1.3 1000 1 FR107 低频、普通整流二极管 DO-41 大 - 1.1 1000 1 1N4007 备注 封装 Cd (pF) Trr VF