传感器技术-第八章-光电式传感器.pptVIP

光敏二极管外形 红外发射、接收对管外形 光敏三极管外形 光电池外形 能提供较大电流的大面积光电池外形 (一)MOS电容器组成的光敏元显微照片 CCD光敏元显微照片 彩色CCD显微照片（放大7000倍） 线阵CCD外形 面阵CCD外形 200万和1600万像素的面阵CCD 面阵CCD外形（续） PIN光电二极管 光电池及在照度测量中的应用 光电池在动力方面的应用 光电池在动力方面的应用（续） 光电池在动力方面的应用（续） 线阵CCD在扫描仪中的应用 线阵CCD在图像扫描中的应用 线阵CCD用于字符识别 CCD数码照相机 数码相机简称DC，它采用CCD作为光电转换器件，将被摄物体的图像以数字形式记录在存储器中。 数码相机从外观看，也有光学镜头、取景器、对焦系统、光圈、内置电子闪光灯等，但比传统相机多了液晶显示器（LCD），内部更有本质的区别，其快门结构也大不相同。 CCD用于图像记录 数码相机的外形 数码相机的结构解剖（索尼F828） CCD数码显微镜拍摄的金属表面显微照片 CCD数码摄像机 CMOS图像传感器 CMOS图像传感器是采用互补金属-氧化物-半导体工艺制作的另一类图像传感器，简称CMOS。现在市售的视频摄像头多使用CMOS作为光电转换器件。虽然目前的CMOS图像传感器成像质量比CCD略低，但CMOS具有体积小、耗电量小、售价便宜的优点。随着硅晶圆加工技术的进步，CMOS的各项技术指标有望超过CCD，它在图像传感器中的应用也将日趋广泛。 CMOS视频摄像头 CMOS视频摄像头的外部结构 CMOS视频摄像头的外形及内部结构 CCD 3. 响应时间（频率特性） 反映动态特性。响应时间小，动态特性好。采用调制光的光电传感器，调制频率上限受响应时间限制。 光敏电阻的响应时间一般为10-1~10-3s，光敏晶体管2x10-5s。光敏二极管的响应速度比光敏三极管高一个数量级，硅管比锗管高一个数量级。 (a)光敏电阻 (b)光电池 (c)光敏晶体管 4. 峰值探测率 噪声指标，反映暗电流的影响。 峰值探测率大，噪声等效功率小，器件性能好。 5. 温度特性 硫化铅光敏电阻的光谱温度特性 温度变化，则 (1)器件灵敏度变化， (2)光谱特性变化 6. 伏安特性 伏安特性：在一定的光照下，对光电器件所加端电压与光电流之间的关系。 伏安特性是选择电参数的依据。 (a)光敏电阻 (b)光敏二极管 (c)光敏晶体管 8.4 新型光电器件 8.4.1 位置敏感器件(PSD) 8.4.2 集成光敏器件 为满足差动输出等应用的需要,可以将两个光敏电阻对称布置在同一光敏面上;也可将光敏三极管制成对管形式; 光电池可制成多个元件的阵列. 缺点:每个元件都需要相应的输出电路 ,故电路较庞大。 8.4.3 固态图象传感器 固态图象传感器是电荷转移器件与光敏阵列元件集为一体构成的具有自扫描功能的摄象器件 最常用的电荷转移器件是电荷耦合器件CCD 8.4.3.1 CCD的基本原理 1．金属电极 2．绝缘层SiO2 P型半导体加正偏压Φ 电荷在三相CCD中的转移 1.线阵型CCD图像传感器 8.4.3.2 电荷耦合CCD图像传感器 2、面型CCD图像传感器 CCD的基本特性参数有： 光谱响应、动态范围、信噪比、CCD芯片尺寸等。在CCD像素数目相同的条件下，像素点大的CCD芯片可以获得更好的拍摄效果。大的像素点有更好的电荷存储能力。 面阵CCD能在x、y两个方向都能实现电子自扫描，可以获得二维图像。 8.4.3.3 CMOS摄像器件 固体摄像器， 传感和电路高度集成，体积小，功耗低，防震，寿命长，可靠性高，抗电磁干扰； 对红外光敏感，有夜视特性 8.4.4 高速光电器件 1.PIN结光电二极管： 适用于光通信和光测量 2.雪崩式光电二极管 8.4.5 半导体色敏器件 雪崩光敏二极管 8.5 光电传感器 8.5.1 光电式传感器的类型 1. 模拟式光电传感器 将被测量转换成连续变化的光电流，要求光电器件的光照特性为单值线性，光源的光照均匀恒定。