西安电子科技大学化合物半导体材料与器件课件第五章 金属半导体场效应晶体管.pptVIP

5.3 HEMT 5.3.8 赝高电子迁移率晶体管-PHEMT 器件结构： ①衬底： ②缓冲层： ③辅助沟道层： ④隔离层： ⑤沟道层： ⑥电子供给层： ⑦Schotty接触： ⑧帽层： 器件特点： ①InP辅助沟道具有电子供给层和沟道层的双重作用 ②InGaAs的低场高迁移率和InP的高场高漂移速度 ③高的ns 器件特性： ①高gm：1290ms/mm ②高频：L=0.6μm时，fT=68.7GHz (是GaAs HEMT的1.3倍） 4）InP-HEMT 5.3 HEMT 5.3.8 赝高电子迁移率晶体管-PHEMT 器件结构： ①衬底： ②缓冲层： ③沟道层： ④施主层： ⑤渐变层： ⑥帽层： 特点： 器件特点： 沟道层是应变Si （应变Si的μn是体Si的3倍） 5）硅基异质结HEMT-SiGe/Si MODFET（PHEMT） 化合物半导体器件 化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2014.10 金属半导体肖特基接触 MESFET HEMT 第五章 化合物半导体场效应晶体管 场效应晶体管 场效应晶体管 结型场效应晶体管 （JFET） 金属－半导体场效应晶体管 （MESFET） MOS 场效应 晶体管（MOSFET） 场效应晶体管（Field Effect Transistor, 缩写为FET）是一种电压控制器件，其导电过程主要涉及一种载流子，也称为 “单极”晶体管 场效应晶体管的分类 5.1 金属半导体肖特基接触 5.1.1 能带结构 5.1 （a）接触前的金属半导体能带图，真空能级处处相同，而费米能级不同；（b）接触后的金属半导体能带图，费米能级处处相同 1) 势垒高度 以金属/n型半导体接触为例，假定Φm(Wm) Φs(Ws) 图5.2形成整流接触的两种情况： （a）ФmФs，n型半导体；（b）ФmФs，p型半导体；（c）肖特基接触I-V特性 5.1 金属半导体肖特基接触 2) 阻挡层:半导体一侧高阻的空间电荷区（势垒区） 3)反阻挡层：半导体一侧很薄的高导电层 5.1 金属半导体肖特基接触 5.1.2 基本模型-整流理论 图5.5 外加偏压时肖特基接触的能带图（a）正向偏压，（b）反向偏压 1) 外加电压 以金属/n型半导体接触为例，且WmWs 5.1 金属半导体肖特基接触 图5.6 载流子通过肖特基势垒的输运过程 1、电子从半导体出发，越过势垒顶部热发射到金属中；2、电子穿过势垒的量子隧穿效应； 3、在空间电荷区的复合；4、空穴从金属注入半导体，等效于半导体中性区的载流子的复合。 2) 电流模型 ①扩散模式：适于厚的阻挡层(XDln) ②热电子发射模式：适于轻掺杂、薄阻挡层(ln XD) 隧道效应：（引起势垒高度降低） 镜像力效应：（势垒顶向内移动，使势垒降低） 5.1 金属半导体肖特基接触 5.1.3 肖特基二极管 1) 相同之处：都具有单向导电性（整流特性） 2) 不同之处：①pn结：少子器件；扩散电流；有电荷存贮效应；高频性能差；JS小于JSD(JST)；导通电压高。 ②Schotty势垒：多子器件；漂移电流；无电荷存贮效应；高频性能好；JSD(JST) 远大于JS；导通电压低。 3) 应用：①高速TTL②金属-半导体雪崩二极管③肖特基栅场效应晶体管 与pn结二极管相比 2) 如何实现 1) 定义： 5.1.4 欧姆接触 金属半导体肖特基接触 MESFET HEMT 第五章 金属半导体场效应晶体管 5.2 MESFET 5.2.1器件结构 1) 3个金-半接触 2) 器件结构参数 5.2 MESFET 5.2.2 工作原理 1) 偏置电压 2) 沟道电阻 3) 输出特性：①VGS=0,VDS0; 以耗尽型n沟MESFET为例 沟道未夹断前：线性区 5.2 MESFET 沟道刚被夹断：饱和电压VDsat 沟道夹断后：饱和区 3) 输出特性：①VGS=0,VDS0; 5.2 MESFET 3) 输出特性：②VGS=-1,VDS0; 4) 转移特性：VDS一定时，ID随VGS的变化规律-跨导gm 5) 增强型MESFET:未加栅压（VGS=0）时，沟道就已夹断 5.2 MESFET 5.2.3 电流-电压特性 dx 肖克莱缓变沟道近似模型 ① dy两端的电压降 ② 耗尽层宽度 1) 直流I-V特性 ③ 电流-电压关系式 5.2 MESFET 5.2.3 电流-电压特性 ④ 沟道电导 2）直流参数 ⑤ 饱和电流 ①夹断电压 ②饱和电压 ③ 最大饱和漏极电流 ④最小沟道电阻 3）交流小信号参数 ①跨导②漏导 5.2 MESFET 5.2.4 负阻效应 电子从Г