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闪存非易失性存储器系列概述赛普拉斯是基于工艺技术的闪存产品这些设备提供的快速页面读取时间相应的随机访问时间可达它们配备写入缓冲器在一个操作中最多可编程字字节与标准编程算法相比有效编程时间更短因此对于当今需要更高容量更好性能和更低功耗的嵌入式应用程序来说这些设备是理想的选择特殊特性技术通用闪存接口参数表单电源为读取编程擦除操作供电温度范围多用途功能工业级宽电压范围扩展的工业级数据总线扩展异步字节页面读取耐久性字节编程缓冲器工业级和扩展的工业级通常情况下可对任意扇区进行次擦除操作多页面编程最多字节扩
S29GL01GT/S29GL512T
1 Gbit (128 MByte)/512 Mbit (64 MByte),
GL-T MirrorBit® Eclipse™ 闪存非易失性存储器系列
概述
®
赛普拉斯 S29GL01GT/512T 是基于45 nm 工艺技术的MirrorBit Eclipse 闪存产品。这些设备提供15 ns 的快速页面读取时间，相
应的随机访问时间可达100 ns。它们配备写入缓冲器，在一个操作中最多可编程256 字/512 字节，与标准编程算法相比，有效编程
时间更短。因此，对于当今需要更高容量、更好性能和更低功耗的嵌入式应用程序来说，这些设备是理想的选择。
特殊特性
45 nm MirrorBit Eclipse 技术 通用闪存接口（CFI ）参数表
单电源（VCC ）为读取/ 编程/ 擦除操作供电（2.7 V ~ 3.6 V ） 温度范围：
多用途 I/O 功能 – 工业级（–40°C ~ +85°C ）
– 宽I/O 电压范围（VIO）：1.65 V ~ VCC – 扩展的工业级（ –40°C ~ +105°C ）
x8/x16 数据总线 – 扩展（–40°C ~ +125°C ）
异步32 字节页面读取 耐久性
512 字节编程缓冲器 – 工业级和扩展的工业级：通常情况下，可对任意扇区进行100,000
次擦除操作
– 多页面编程，最多512 字节
– 扩展：通常可对任意扇区进行10,000 次擦除操作
支持单字编程和对同一字多次编程（比特编程操作）
通常情况下，数据保持时间为20 年
扇区擦除
封装选项
– 统一的128 kb 扇区
– 56 引脚TSOP
编程和擦除操作的挂起和恢复命令
– 64 球形焊盘LAA 加固的BGA，13 mm x 11 mm
可通过状态寄存器、数据轮询和就绪/ 忙碌针脚等方法确定设备状态
– 64 球形焊盘LAE 加固的BGA，9 mm x 9 mm
高级扇区保护（ASP ）
– 56 球形焊盘VBU 加固的BGA，9 mm x 7 mm
– 为每个扇区提供易失性和非易失性的保护方法
独立的2048 字节一次性编程（OTP ）区域
– 四个可锁定区域（SSR0 - SSR3 ）
– SSR0 为出厂锁定
– SSR3 为密码读取保护
赛普拉斯半导体公司 • 198 Champion Court • San Jose, CA 95134-1709 • 408-943-2600
文档编号：002-03718 版本*B 修订日期：July 28, 2016
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