半导体物理学(刘恩科)第七版完整课后题答案.docxVIP

- -- 第一章习题 1 ．设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k) 和价带极大值附近 能量 EV(k) 分别为： 2 k 2 2 (k k1 ) 2 2 2 2 2 E c= h h , EV (k) h k 1 3h k 3m0 m0 6m0 m0 m0 为电子惯性质量， k1 , a 0.314nm。试求： a 1）禁带宽度 ; 2） 导带底电子有效质量 ; 3）价带顶电子有效质量 ; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1） 导带： 由 2 2k 2 2 (k k1 ) 0 3m0 m0 得： k 3 k1 4 又因为： d 2 Ec 2 2 2 2 8 2 dk 2 0 3m0 m0 3m0 所以：在 k 3 k处， Ec取极小值 4 价带： dEV 6 2 k 0得 k 0 dk m0 又因为 d 2 EV 6 2 0,所以 k 0处， EV 取极大值 dk 2 m0 因此： Eg EC 3 EV (0) 2 k12 ( k1 ) 0.64eV 4 12m0 2 3 m0 (2)mnC* d 2 EC 8 dk 2 k 3k1 4 2 m0 (3)mnV* d 2 EV 6 dk 2 k 01 (4)准动量的定义： p k 所以： p ( k) 3 ( k ) k 0 3 k1 0 7.95 10 25 N / s k 4 k1 4 晶格常数为 0.25nm 的一维晶格，当外加 102V/m， 107 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据： f qE h k 得 t k t qE (0 ) t1 a 8.27 10 8 s 10 19 10 2 1.6 (0 ) t2 a 8.27 10 13 s 10 19 107 1.6 补充题 1 分别计算 Si（100），（110），（ 111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度 （提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si 在（ 100），（110）和（ 111）面上的原子分布如图 1 所示： （a） (100) 晶面 （ b） (110)晶面 c） (111)晶面 1 1 4 2 2 （ ）： 4 14 2 6.78 10 atom / cm 100 a 2 a 2 ( 5.43 10 8 ) 2 2 1 1 4 2 4 （ ）： 4 2 14 2 9.59 10 atom / cm 110 2a a 2a 2 4 1 1 2 2 4 （ ）： 4 2 10 14 atom / cm 2 111 7.83 3 a 2a 3a 2 2 补充题 2 2 7 1 一维晶体的电子能带可写为 E （ k ) ma2 ( cos ka cos2ka) ， 8 8 式中 a 为 晶格常数，试求 （1）布里渊区边界； （2）能带宽度； （3）电子在波矢 k 状态时的速度； * （4）能带底部电子的有效质量 mn ； * （5）能带顶部空穴的有效质量 mp 解：（ 1）由 dE (k ) 0 得 k n dk a n=0， 1， 2?） 进一步分析 k (2n 1) ，E（ k）有极大值， a E（ k) 2 2 MAX ma 2 2n 时， E（ k）有极小值 a 所以布里渊区边界为 k (2n 1) a (2) 能带宽度为 E（ k ) MAX E(k) MIN 2 2 ma 2 (3 ）电子在波矢 k 状态的速度 v 1 dE (sin ka 1 sin 2ka) dk ma 4 （4）电子的有效质量 mn* 2 m d 2 E (cos ka 1 dk 2 cos 2ka) 2 能带底部 k 2n 所以 mn* 2m a (5) 能带顶部 (2n 1) ， k a 且 m*p mn* ， 所以能带顶部空穴的有效质量 m*p 2m 3 半导体物理第 2 章习题 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？ 答：（1）理想半导体： 假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上， 实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。 2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。 3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。 2. 以 As 掺入 Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和 n 型半导 体。 As 有 5 个价电子，其中的四个价电子与周围的四个 Ge原子形成共价键，还剩余一个电子， 同时 As 原子所在处也多余一个正电荷， 称为正离子中心， 所以，一个 As 原子取代一个 Ge原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子 . 多余的电子束缚在正