20XX年第十二讲深亚微米工艺下的电路设计.pdfVIP

第十二讲 深亚微米工艺下的电路设计 (讨论) 李福乐 lifule@tsinghua.edu.cn Outline • 按比例缩小原理 • 短沟道效应 • 深亚微米工艺下的设计讨论 • SOC设计 按比例缩小原理 • 理想的晶体管按比例缩小 – 纵向和横向尺寸均缩小α倍( α1) – 电源电压和晶体管阈值电压降低α倍 – 所有掺杂浓度增大α倍 • 恒电场按比例缩小(constant-field scaling) • 缩小速度遵循摩尔定律 理想的晶体管按比例缩小 • 晶体管的W, L, tox, VDD, VTH, 源漏结的深度和 周长均缩小α倍 • 按比例缩小后的饱和漏极电流 ⎛ ⎞ V 2 1 w α ⎛ GS V ⎞