核电子学跟核仪器-课件2资料.pptVIP

二、闪烁体探测器 2.3单晶闪烁谱仪 单能射线的输出脉冲幅度谱 ?射线与物质的相互作用： 二、闪烁体探测器 2.3单晶闪烁谱仪 单能射线的输出脉冲幅度谱 常见单能?射线谱 二、闪烁体探测器 2.3单晶闪烁谱仪 单能射线的输出脉冲幅度谱 常见单能?射线谱 三、半导体探测器 半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。 我们把气体探测器中的电子－离子对、闪烁探测器中被 PMT第一打拿极收集的电子 及半导体探测器中的电子－空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流子的平均能量分别为30eV(气体探测器)，300eV(闪烁探测器)和3eV(半导体探测器)。 三、半导体探测器 半导体探测器的特点： (1) 能量分辨率最佳； (2) ?射线探测效率较高，可与闪烁探测器相比。 常用半导体探测器有： (1) P-N结型半导体探测器； (2) 锂漂移型半导体探测器； (3) 高纯锗半导体探测器。 三、半导体探测器 3.1半导体的基本性质 常用半导体材料为硅(Si)和锗(Ge)，均为IV族元素。 本征半导体和杂质半导体 1) 本征半导体： 理想、无杂质的半导体。由于热运动而产生的载流子浓度称为本征载流子浓度，且导带中的电子数和价带中的空穴数严格相等。固体物理理论已证明半导体内的载流子平衡浓度为： 三、半导体探测器 3.1半导体的基本性质 本征半导体和杂质半导体 2) 杂质半导体 替位型：III族元素，如B，Al，Ga等； V族元素，如P，As，Sb等 间隙型：Li，可在晶格间运动。 施主杂质（施主杂质为V族元素，其电离电位ED很低。在室温下，这些杂质原子几乎全部电离。掺有施主杂质的半导体称为N 型半导体。） 受主杂质（受主杂质为III族元素，其电离电位EA也很低。掺有受主杂质的半导体称为P 型半导体。） 三、半导体探测器 3.1半导体的基本性质 半导体作为探测介质的物理性能 1)平均电离能 入射粒子在半导体介质中平均产生一对电子空穴需要的能量。 2)载流子的漂移 由于电子迁移率?n 和 空穴迁移率?p 相近，与气体探测器不同，不存在电子型或空穴型半导体探测器。 Si Ge 300oK 3.62eV 2.80eV 77oK 3.76eV 2.96eV 三、半导体探测器 3.1半导体的基本性质 半导体作为探测介质的物理性能 3) 电阻率与载流子寿命 掺杂将大大降低半导体的电阻率，对硅来说掺杂对电阻率的影响比锗显著得多。当半导体材料被冷却到液氮温度时将大大提高电阻率。 载流子寿命?--载流子在俘获以前，可在晶体中自由运动的时间。只有当漂移长度大于灵敏体积的长度才能保证载流子的有效收集。对高纯度的Si和Ge ?～10-3s，决定了Si和Ge为最实用的半导体材料。 半导体电阻率： 三、半导体探测器 3.2 P-N结半导体探测器 P-N结半导体探测器的工作原理 1) P-N结区(势垒区)的形成 多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率。 三、半导体探测器 3.2 P-N结半导体探测器 P-N结半导体探测器的工作原理 1) P-N结区(势垒区)的形成 在P-N结上加反向电压，由于结区电阻率很高，电位差几乎都降在结区。反向电压形成的电场与内电场方向一致。外加电场使结区宽度增大。反向电压越高，结区越宽。 在外加反向电压时的反向电流： 少子的扩散电流，结区面积不变，IS 不变； 结区体积加大，热运动产生电子空穴多，IG 增大； 反向电压产生漏电流 IL ，主要是表面漏电流。 即在使结区变宽的同时，IG 增加, IS不变，并出现IL，此时表现的宏观电流称为暗电流。 三、半导体探测器 3.2 P-N结半导体探测器 P-N结半导体探测器的工作原理 2) P-N结半导体探测器的特点 结区的空间电荷分布，电场分布 n-type p-type - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + P-N结内N区