NOR,SRAM,SDRAM,NAND结构和容量计算.doc

NOR flash，NAND flash，SDRAM结构和容量分析 NOR flash结构和容量分析 例如：HY29LV160 。 引脚分别如图： HY29LV160 有20根地址线，16位的数据线。 所以： 容量=220(地址线)X16(数据位数)bit =1MX16bit=1MX2B =2MB SRAM简单介绍 SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。 　SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。 SRAM一种是置于CPU与主存间的高速缓存，它有两种规格：一种是固定在主板上的高速缓存（Cache Memory ）；另一种是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）扩充用的高速缓存，另外在CMOS芯片1468l8的电路里，它的内部也有较小容量的128字节SRAM，存储我们所设置的配置数据。还有为了加速CPU内部数据的传送，自80486CPU起，在CPU的内部也设计有高速缓存，故在Pentium CPU就有所谓的L1 Cache（一级高速缓存）和L2Cache（二级高速缓存）的名词，一般L1 Cache是内建在CPU的内部，L2 Cache是设计在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同时设计在CPU的内部，故Pentium Pro的体积较大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU内核之外的黑盒子里。SRAM显然速度快，不需要刷新的操作，但是也有另外的缺点，就是价格高，体积大，所以在主板上还不能作为用量较大的主存。 　现将它的特点归纳如下： 　　 ◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。 　　 ◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。 　　 ◎SRAM使用的系统： 　　 ○CPU与主存之间的高速缓存。 　　 ○CPU内部的L1／L2或外部的L2高速缓存。 　　 ○CPU外部扩充用的COAST高速缓存。 　　 ○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。 主要用途： SRAM主要用于二级高速缓存(Level2 C ache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。 　　 SRAM SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,异步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM, 流水式突发SRAM)，还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。 　　基本的SRAM的架构如图1所示，SRAM一般可分为五大部分:存储单元阵列(core cells array)，行/列地址译码器(decode)，灵敏放大器(Sense Amplifier)，控制电路(control circuit)，缓冲/驱动电路(FFIO)。 SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不象DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。 SDRAM 结构和容量分析 SDRAM基础知识 SDRAM : Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器。 同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准。 动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失。 随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。  SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM. 第一代与第二代SDRAM均采用单端（Single-Ended）时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。 SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储