02-微电子芯片技术资料.pptVIP

信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.1 衬底材料/硅 半导体最主要的衬底材料就是硅 包括集成电路在内的半导体器件绝大部分是制作在硅材料上的，所以半导体最主要的衬底材料就是硅。现在集成电路已经发展到超大规模时代，需要进一步提高芯片的集成度和运行速度，而现有的硅材料和工艺正接近它们的物理极限，因而必须在硅材料和工艺上实现新的突破。 Si、GaAs、InP等半导体单晶材料向着大尺寸、高均质、晶格高完整性方向发展。 Si 12英吋芯片已开始普及；GaAs芯片4英吋已进入大批量生产阶段，并且正在向6英吋生产线过渡。对单晶电阻率的均匀性、杂质含量、微缺陷、位错密度、芯片平整度、表面洁净度等都提出了更加苛刻的要求。 氮化物半导体GaN 宽带隙 高的热稳定性 高的化学稳定性 较高的热导率 高的电子迁移率 信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.1 衬底材料/氮化物半导体GaN 信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.2 衬底材料/绝缘层上的硅SOI 是指在普通单晶硅片里添加一层二氧化硅绝缘层，用于隔离晶体管，以减少漏电现象，提高集成电路的运行速度，降低功耗。 作为结构材料，SOI材料被广泛应用于光通信器件、MEMS器件及传感器工艺中。 　 现今国际上通行的SOI材料主流制备方法是注氧隔离(SIMOX)和