塑封器件失效机理与可靠性评估技术.doc

专业资料 word完美格式 塑封器件失效机理及其可靠性评估技术 1 引言 塑封器件是指以树脂类聚合物为材料封装的半导体器件，其固有的特点限制了塑封器件在卫星、军事等一些高可靠性场合的使用。虽然自70年代以来，大大改进了封装材料、芯片钝化和生产工艺，使塑封器件的可靠性得到很大的提高，但仍存在着许多问题。这些潜在的问题无法通过普通的筛选来剔除，因此，要研究合适的方法对塑封器件的可靠性加以评定。 2 失效模式及其机理分析 塑封器件在没有安装到电路板上使用前，潮气很容易入侵，这是由于水汽渗透进树脂而产生的，而且水汽渗透的速度与温度有关。塑封器件的许多失效机理，如腐蚀、爆米花效应等都可归结为潮气入侵。 2.1 腐蚀 潮气主要是通过塑封料与外引线框架界面进入加工好的塑封器件管壳，然后再沿着内引线与塑封料的封接界面进入器件芯片表面。同时由于树脂本身的透湿率与吸水性，也会导致水汽直接通过塑封料扩散到芯片表面。吸入的潮气中，如果带有较多的离子沾污物，就会使芯片的键合区发生腐蚀。如果芯片表面的钝化层存在缺陷，则潮气会侵入到芯片的金属化层。无论是键合区的腐蚀还是金属化层的腐蚀，其机理均可归结为铝与离子沾污物的化学反应：由于水汽的浸入，加速了水解物质（Cl -，Na+）从树脂中的离解，同时也加速了芯片表面钝化膜磷硅玻璃离解出(PO4)3-。 （1）在有氯离子的酸性环境中反应 2Al±6HCl→2AlCl3±3H 2 Al+3Cl→AlCl3+3e- AlCl3→Al(OH)2 +HCl （2）在有钠离子的碱性环境中反应 2Al+2NaOH+2H2O→2NaAlO 2+3H2 Al+3(OH)- →Al(OH)3+3e- 2Al(OH)3→Al2 O3+3H2O 腐蚀过程中离解出的物质由于其物理特性改变，例如脆性增加、接触电阻值增加、热膨胀系数发生变化等，在器件使用或贮存过程中随着温度及加载电压的变化，会表现出电参数漂移、漏电流过大，甚至短路或开路等失效模式，且有些失效模式不稳定，在一定条件下有可能恢复部分器件功能，但是只要发生了腐蚀，对器件的长期使用可靠性将埋下隐患。 2.2 爆米花效应塑封器件在焊接期间传导到器件上的热有三种来源：红外回流焊加热、气相回流焊加热和波峰焊加热。红外加热的峰值温度是235～240 ℃，时间10 s；气相加热温度215±5 ℃，40 s；波峰焊加热温度260±5 ℃ 2.3 低温/温冲失效 通常由元器件生产厂商提供的塑封器件对温度要求不高，能满足如下三种温度范围的要求即可：0～70 ℃(商业温度)、-40～85 ℃（工业温度）、-40～125 ℃（汽车温度），这些范围比传统的军用温度范围（-55～ （1）封装分层。在从室温到极端寒冷环境的热循环过程中，模压复合物与基片或引线框之间的热膨胀系数差异可造成分层和开裂。在极端低温下，由于贮存操作温度和密封温度之间的差异很大，因此导致分层和开裂的应力也非常大。并且，随着塑料在极端低温下耐开裂强度的下降，开裂的可能性也随之增加（封装经过-55～125 ℃的热循环时，引线框尖锐边缘处就会出现开裂和分层）。另外，潮湿对低温下关键基片，即封装材料界面上的分层还会产生加速效应。这种加速效应可由封装内凝结水汽的冻结和解冻所引起。 （2）对芯片的机械应力。由于塑封料和硅的线性热膨胀系数相差一个数量级，可使器件在温度变化的环境里，塑封料在芯片上移动。这种应力对芯片表面结构构成一种剪切力，它首先使芯片上附着力弱的金属化层向芯片中心滑移，造成金属化铝条间开路或短路；也可能造成钝化层或多晶硅层破裂，多层金属化上下层间短路。另外，塑封料在工作温度下会对芯片有一个压应力。温度越低，压应力越大。同时塑封料中加了石英砂填料，以其尖锐的角尖接触芯片，塑封料的压力传递到芯片上，刺破钝化层和金属层造成开路或短路，也会造成IC中的元器件参数变化。 2.4 闩锁或EOS/ESD 因电路闩锁或EOS/ESD损伤，会造成芯片上局部高温区塑料碳化的现象，这是因通过导电塑料的电流旁路过热而引起的。由于这种失效机理使封装剂退化，使其绝缘电阻受到损耗而导电。大电流沿着这条导电通道并通过塑料从电源输送到地线，不断使塑料发热，最终使塑封器件烧毁。 2.5 生产工艺缺陷 （1）芯片粘接缺陷。这些缺陷包括芯片与其基片粘接不良、粘接材料中有空洞，造成热分布不均（局部热点）、芯片剥离或裂纹，此外，空洞还可截留潮气和沾污物。这些缺陷可导致致命失效。 （2）封装缺陷。常见的封装缺陷包括气泡、粘接不良（剥离）、芯片的基片位移和引线弯曲不当。此外，模制化合物含有杂质或沾污物。这些缺陷可造成塑封开裂、金属化层变形、焊头翘起、互连线腐