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3D封装中硅通孔互连技术的热-机械应力分析 肖明 （指导教师：杨道国 教授） 3D封装中硅通孔互连技术的热-机械应力分析 热稳态分析 温度循环分析 温度冲击分析 展望谢辞 TSV介绍 3D封装 随着电子制造产业的特征尺寸下降到20nm甚至更低，为了在一定尺寸的芯片上实现更多的功能，同时避免高密度下2D封装的长程互连造成的RC延迟，研究者们把目光投向了Z方向封装——3D封装。 3D封装类型 埋置型3D封装 有源基板型3D封装 叠层型3D封装 3D封装中硅通孔互连技术的热-机械应力分析 热稳态分析 温度循环分析 温度冲击分析 展望谢辞 TSV介绍 硅通孔技术(TSV)是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。 由于TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，成为目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。 TSV的优势： 缩小封装尺寸 高频特性出色，减小传输延时降低噪声 降低芯片功耗，TSV可将硅锗芯片的功耗降低大约40% 热膨胀可靠性高 第四代封装技术 TSV技术 3D封装中硅通孔互连技术的热-机械应力分析 热稳态分析 温度循环分析 温度冲击分析 展望谢辞 TSV介绍 TSV技术的可靠性问题 TSV技术的可靠性问题包括：铜填充的硅通孔在周