电子封装工艺设备概述.ppt

气密封装设备 主要有平行焊缝机和激光熔焊机 平行焊缝机 平行焊缝机工作原理 平行焊缝机属于电阻熔焊，通过电流在接触电阻处产生焦耳热量，形成局部熔融状态，凝固后形成一个焊点。 激光熔焊机 直接将高强度的激光束辐射至金属表面，通过激光与金属的相互作用，金属吸收激光转化为热能使金属熔化后冷却结晶形成焊接。 塑料封装工艺设备 塑料封装类型 ①通孔插装式安装芯片 双列直插式封装（PDIP）、单列直插式封装（SIP）、针栅阵列封装（PPGA） ②表面贴装 小外形封装（SOP）、引线片式载体（PLCC）、四边引线扁平封装（PQFP） 塑封设备 模塑技术的工艺设备包括： ①排片机：对线框进行塑封前的自动排片以及预热处理，实现工序自动化。 ②预热机：对塑封料的预热、产品的预热。 ③传递模压机：通过加压，将热固性材料引入闭合模腔内制造塑封元件。 ④铸模设备：将所需的原料分别置于两组容器中搅拌，再输入铸孔中使其 发生聚合反应完成塑封。 ⑤ 去溢料机：清除塑料封装中塑封树脂溢出、贴带毛边、引线毛刺。 先进封装工艺设备 球栅阵列（BGA）封装工艺 是按二维（平面）排列的焊料球与印刷线路板连接后的集成电路外部封装形式。 典型BGA封装结构 倒装芯片键合工艺设备 芯片以凸点阵列结构与基板直接安装互连。 优点： 1，克服了引线键合焊区中心极限问题。 2，在芯片的I/O分布更便利。 3，为高频率、大功率器件提供更完善的信号 倒装芯片键合技术 倒装芯片焊接的工序为： 上基板 吸取芯片 芯片翻转 浸蘸助焊剂 倒贴芯片 回流焊 基板预热 底部填充胶涂布 基板二次加热 底部填充胶固化 成品系统 倒装芯片工艺流程图 主要过程： ⒈ UBM制作 ⒉凸点生成 ⒊倒装键合 ⒋底部填充 倒装 芯片键合设备 关键部件 ①视觉检测系统：为整机的机械运动提供位置参数，控制机械机构运动。 ② 三维工作台：接收视觉系统输出，完成芯片和基板的定位和对中。 ③ 精密键合头：具有真空吸附功能，芯片定位后加压以及超声波键合。 ④ 多自由度机密对准系统：用于对准，确保贴装精度及速度。 ⑤超声换能系统：提供超声能并转换成超声振动能。 倒装键合机运动机构组成 晶圆级CSP封装（WLCSP）工艺设备 形成封装体的各工艺步骤均在未分切的完整晶圆上完成的封装形式。 WLCSP的特性优点 ①原芯片尺寸最小封装方式； ②数据传输路径短、稳定性高； ③散热特性佳； 晶圆级封装设备 重布线/UBM制作：投影光刻机、 接近光刻机、刻蚀机、溅射台、CVD 凸点生成：上述设备以及电镀设备、 丝网印刷机、金丝球焊机、回流炉。 测试、打印、包装：测试/打标/分选机 WLCSP封装原理图 系统级封装（SiP）工艺设备 在单一标准封装体内集成各种器件实现多种功能，将数种功能合并入单一模组中，达到系统级多功能的封装形式。 系统集成的主要技术路线： ①系统级芯片集成技术（SoP, system-on-chip）; ②多芯片封装技术(MCM, multi chip module); ③系统级封装技术(Sip, system-in-package)。 SiP横截面示意图。其主要设备与晶圆级设备接近或相同。 三维芯片集成工艺设备 三维立体封装（3D）是在垂直于芯片表面的方向上堆叠，互连两片以上裸片封装。 典型的3D封装结构 叠成型3D封装方法 三维封装技术 ①芯片堆叠互连 ②硅通孔（TSV）3D 互连技术 ③叠层多芯片模块 3D封装 ④叠成封装（POP） POP工艺流程 厚、薄膜电路封装工艺设备 厚膜电路封装工艺 ①厚膜图形形成：多层厚膜印刷法；多层生片共烧法。 ②厚膜金属化：在陶瓷基板上烧结形成钎焊金属层、电路及引线接点。 ③陶瓷基板：氧化铝陶瓷基板，较好的传导性、机械强度和耐高温性。 ④浆料：导体、电阻和绝缘浆料。 ⑤丝网网版制作：直接制版法；间接制版法。 ⑥厚膜丝网印刷：利用丝网印刷工艺。 ⑦厚膜电路组装：组装形成厚膜混合集成电路。 厚膜电路工艺设备 ⑴ 丝网印刷机：采用丝网印刷将定量的焊膏涂覆在PCB各制定位置上。 ⑵厚膜电路光刻机：进一步提高丝网印刷的精细度。 ⑶烧结炉：加热隧道，传送产品的部件。 ⑷激光调阻机：高能激光脉冲聚焦在被调片阻上，改变横截面调阻。 A.激光器； B.光束定位系统； C.程控衰减系统； D.修调设定器； E.光学扫描系统； F.阻值及电压测定系统； G自动功率测量系统。 薄膜电路封装工艺 薄膜混合集成电路适用于各种电路，特备是精度要求高、稳定性好的模拟电路。 薄膜电路工艺流程 低温共烧陶瓷