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第 8 期 电 子 学 报 Vol . 28 No . 8
2000 年 8 月 ACTA ELECTRONICA SINICA Aug. 2000
薄 SiO2 层击穿特性与临界陷阱密度
林立谨 ,张 敏
( 中科院上海冶金研究所微电子学分部 ———上海微电子研究开发基地 ,上海 200233)
摘 要 : 薄栅氧化层的退化 、击穿与氧化层中和界面陷阱的产生相关. 本文研究了在恒电流 TDDB ( TimeDepen
dent Dielectric Breakdown) 应力条件下 89nm 薄氧化层的电学特性退化 、击穿情况. 研究表明 , 电子在穿越 SiO2 晶格时与
晶格相互作用产生陷阱 ,当陷阱密度达到某一临界密度 N bd 时 ,氧化层就击穿. N bd 可以用来表征氧化层的质量 ,与测试
电流密度无关. 击穿电量 Qbd 随测试电流密度增大而减小可用陷阱产生速率的增长解释. 临界陷阱密度 N bd 随测试
MOS 电容面积增大而减小 ,这与统计理论相符. 统计分析表明 ,对于所研究的薄氧化层 ,可看作由面积为 256 ×10 - 14
2
cm 的“元胞”构成 ,当个别“元胞”中陷阱数 目达到 13 个时 , 电子可通过陷阱直接隧穿 ,“元胞”内电流突然增大 ,产生大
量焦耳热 ,形成欧姆通道 ,氧化层击穿.
关键词 : 薄栅氧化层 ; 陷阱; 击穿电量 ; 临界陷阱密度 ; “元胞”
中图分类号 : TN304 文献标识码 : A 文章编号 : (2000)
The Bre akdown Charact er of Thin Oxide Film and Critical Trap Den sity
L IN Lij in ,ZHAN G Min
( Microelectronics B ranch , Shanghai Institute of Metallurgy , Chinese Academy of Sciences , Shanghai 200233 , Chian)
Ab stract : The degradation and breakdown of thin gate oxide film are related with the generation of trap s in oxide layer . In this
work ,the electric characteristics of 89nm thin oxide film have been studied using TDDB ( TimeDependent Dielectric Breakdown)
measurement method. In stress experiments ,part of the kinetic energy of the inj ected electrons is dissipated by interaction with SiO2
lattice and converted into some sort of defects in oxide film that behave as trap s. When the density of trap s reaches a critical density
N bd ,the thin oxide f
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