场效应管及其电路分析.PPT

第一篇第三章 场效应管及其电路分析 第三章 场效应晶体管及其电路分析 1.3.1 场效应管的结构、特性与参数 一、绝缘栅场效应管（IGFET） PMOS增强型 增强型MOS管工作原理 (以NMOS为例） 伏安特性与电流方程 (2) 输出特性(漏极特性) 可变电阻区 放大区 耗尽型MOS管 耗尽型NMOS的伏安特性 二、结型效应管（JFET） JFET的伏安特性 （以N沟道JFET为例） 三、场效应管的主要参数 交流参数 极限参数 1.3.2 场效应管放大电路 不同FET类型对偏置电压的要求 一、场效应管的直流偏置和静态工作点计算 静态工作点的计算 【例1.3.1】 【例1.3.2】 【例1.3.3】 二、场效应管线性与开关应用举例 用作放大器 用作可控开关 用作压控电阻 【例1.3.4】 BCQD段：VT＜vGS＜6V，FET工作在恒流区（放大区）内。 例如 EFG段：vGS＞6V ，FET工作在可变电阻区，vO≈0 AB段：vGS＜VT， FET工作在截止区，vO＝VDD 令vGS ＝0，输入一个快速变化的矩形波，则FET交替工作在截止区和可变电阻区。 当vGS=9V时，工作点移至F点，MOS管工作于可变电阻区，vDS=0.2V，相当于开关接通； 当vGS=0V时，工作点移至A，MOS管截止，vDS=12V, iD=0,相当于开关断开。 在可