掺氮磷化镓之光学特性分析.DOCVIP

■ PAGE 789■ 物理雙月刊（廿四卷六期）2002年12月 藍光氮化銦鎵量子井雷射之電子溢流現象與電洞不均勻性探討 張誌原+、郭艷光* (+研究生，*副教授) 國立彰化師範大學物理研究所 E-mail: ykuo@cc.ncue.edu.tw 摘　　要 本篇論文利用Lastip模擬軟體來探討藍光氮化銦鎵量子井雷射（發光波長462 nm）之電子溢流與活性區之電洞分佈不均勻現象。結果發現在室溫下電子溢流的現象就相當明顯，而且隨著溫度的上升越來越嚴重。這種現象的產生不只影響發光效率，也會大幅降低元件的使用壽命。為了改善此一現象，我們試著去增加p型薄膜的摻雜濃度以及加入一氮化鋁鎵阻礙層，結果發現兩者都能有效的降低電子溢流的程度。除了電子溢流之外，我們也發現在氮化銦鎵量子井元件的活性區中存在著嚴重的電洞分佈不均勻現象，使得單一量子井雷射的效能遠優於多量子井雷射的效能。模擬結果顯示，在量子井旁的barrier層進行電洞摻雜能有效的改善此一現象，並因此而促進元件的雷射效能。 一、前言 最近幾年來，氮化銦鎵材料以其寬能帶間隙與高發光效率，在短波長發光元件的應用上扮演著重要的角色[1][2]，尤其是在高連續操作時間(超過10,000小時)的雷射二極體與紅光範圍的發光二極體成功的被開發出來之後[3]，Ⅲ-Ⅴ族氮化物似乎有凌駕磷化物而獨佔整個可見光範圍的趨勢。但實際上直到目前為止，在紅黃光附近的發