六方晶相三氧化钨纳米线的忆阻性能研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

电场下漂移造成的。在我们的实验基础上，我们还构想了基于单根 电场下漂移造成的。在我们的实验基础上，我们还构想了基于单根 WOs纳米线的两端随机存储器(RRAM)的模型，它能够利用～个较大 的偏压执行“写”的操作，而用一个较小的偏压来完成“读，，的操 作。此外，我们还研究了器件基于肖特基接触的电输运性能，我们发 现退火、温度以及紫外光照都对器件肖特基接触的改善有很大影响。 关键词：三氧化钨纳米线；阻变存储器；氧空位；电输运性能；忆阻 性能。 II ABSTRACTMemories ABSTRACT Memories play a important role in semiconductor market．And with the population of portable consumer electronics products， high—capacity non-volatile memory are demanded for more and more urgent．Currently，Flash is dominant in memory area， occupying more than 80％market share．But as the coming of 28nm node，Flash memory encounters more and more bottl