模拟电子技术基础 第一章节 半导体器件资料文档.ppt

1.1.1 半导体特性 1、热敏性：当导体温度升高时，它的导电性能会随着温度的升高而增强。 2、光敏性：当导体收到光照射时，电子和空穴就会曾多，导电性岁光照增强而增强。 3、掺杂性：当有目的的往纯净的半导体中掺杂入微量五阶或三阶元素时，其导电能力就可增加几十万乃至几百万倍。 1.2.4 特殊二极管 1、稳压二极管 2、发光二极管 3、光电二极管 4、变容二极管 1.2.5 二极管的检测及判断 1、二极管的型号P13-14 2、二极管的检测P14-15 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 　　(2) UCE 0 时的输入特性曲线 　　当 UCE 0 时，这个电压有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电极。 UCE UBE，三极管处于放大状态。 * 特性右移(因集电结开始吸引电子) O IB/?A UCE ≥ 1 时的输入特性具有实用意义。 IB UCE IC VCC Rb VBB c e b RC V ? + V ? + ?A ? + + ? mA UBE 　　* UCE ≥ 1 V，特性曲线重合。 图 1.3.6　三极管共射特性曲线测试电路 图 1.3.8　三极管的输入特性 UCE = 1 V 二、输出特性 图 1.3.9　NPN 三极管的输出特性曲线 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 5 10 15 4 3 2 1 　　划分三个区：截止区、放大区和饱和区。 截止区 放 大 区 饱和区 放 大 区 　　1. 截止区　IB ≤ 0 的区域。 　　两个结都处于反向偏置。 　　IB= 0 时，IC = ICEO。 硅管约等于 1 ?A，锗管约为几十 ~ 几百微安。 截止区 截止区 2. 放大区： 条件：发射结正偏 　　　集电结反偏 　　特点：各条输出特性曲线比较平坦，近似为水平线，且等间隔。 二、输出特性 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 5 10 15 4 3 2 1 放 大 区 　　集电极电流和基极电流体现放大作用，即 放 大 区 放 大 区 对 NPN 管 UBE 0，UBC 0 图 1.3.9　NPN 三极管的输出特性曲线 3. 饱和区： 条件：两个结均正偏 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 5 10 15 4 3 2 1 　　对 NPN 型管，UBE 0 UBC 0 。 特点：IC 基本上不随 IB 而变化，在饱和区三极管失去放大作用。 I C ? ? IB。 当 UCE = UBE，即 UCB = 0 时，称临界饱和，UCE UBE时称为过饱和。 饱和管压降 UCES 0.4 V(硅管)，UCES 0. 2 V(锗管) 饱和区 饱和区 饱和区 [例1]:三极管工作状态的判断 例：测量某硅材料NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V　 　VB ＝0.7V　 VE ＝0V （2） VC ＝6V　 　VB ＝4V　 VE ＝3.6V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE ＝3.4V 解： 原则： 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区　UCE ＜ UBE 1.3.4　三极管的主要参数 三极管的连接方式 IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc (b)共基极接法 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + (a)共发射极接法 图 1.3.10　NPN 三极管的电流放大关系 一、电流放大系数 是表征管子放大作用的参数。有以下几个： 1. 共射电流放大系数 ? 2. 共射直流电流放大系数 忽略穿透电流 ICEO 时， 3. 共基电流放大系数 ? 4. 共基直流电流放大系数 忽略反向饱和电流 ICBO 时， ? 和 ? 这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为： 二、反向饱和电流(极间反向电流) 1.