第三章多级放大电路.DOC

《电子技术及应用》习题册 第一章 半导体二极管 一、填空 1、PN结正偏时（ ）。 2、PN结反偏时（ ）。 3、PN结具有（ ）的性质。 4、漂移电流是（ ）电流。 5、漂移电流由（ ）载流子形成。 6、漂移电流的大小与（ ）有关。 7、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线。 8、所谓理想二极管，就是当其反偏时，结电阻为（ ），等效成断开 9、P型半导体中空穴为（ ）载流子。 10、P型半导体中自由电子为（ ）载流子。 11、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（ ） 12、PN结的P型侧接低电位，N型侧接高电位称为（ ） 13、稳定二极管稳压时是处于（ ）偏置状态. 14、二极管导通时是处于（ ）偏置状态。 15、杂质半导体有（ ）型和N型之分。 16、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了（ ）电压。 17、PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是（ ）电压。 18、杂质半导体有P型和（ ）型之分。 19、本征半导体中，自由电子浓度 空穴浓度。 20、在P型半导体中，自由电子浓度 空穴浓度。 21、在N型半导体中，自由电子浓度 空穴浓度。 二、选择