第七章金属和半导体的接触.PPT

半导体物理 李德昌 西安电子科技大学 理学院 第六篇 金属和半导体的接触 1、阻挡层与反阻挡层的形成 2、肖特基势垒的定量特性 3、欧姆接触的特性 §6.1 金属-半导体接触和能带图1、功函数Wm 、Ws与电子亲和势 2、接触电势差 接触前： 接触后： 导带底电子向金属运动时必须越过的势垒的高度： qVD=Wm-Ws （1） 金属一边的电子运动到半导体一边也需要越过的势垒高度： （a） WmWs 电子阻挡层: 金属一边的势垒 半导体一边的势垒 （b） WmWs 电子反阻挡层: （1）WsWm 空穴阻挡层: 接触后： （2）WmWs 空穴反穴阻挡层: 3、表面态对接触势垒的影响 表面态：局域在表面附近的新电子态。 表面能级：与表面态相应的能级称为表面能级。 A、接触前，半导体体内与表面电子态交换电子后 能带弯曲量 qVD=EF0-EFs0 与金属的性能无关 半导体的功函数则变为： B、金属与半导体接触后 §6.2 金-半接触整流理论 加上正向电压(金属一边为正)时： 加上反向电压