半导体材料及其基本能带结构.pptVIP

价电带电子的E-k图曲率为负，所以此区电子的有效质量为负。 考虑牛顿运动定律 由左式分析，可知价带的电子（具有负的有效质量）运动行为可视为带正电的粒子（具有正的有效质量），此带正电的粒子即为空穴，其有效质量以mp*表示。-mn*=mp* 2. 带边有效质量 空穴有效质量 半导体的基本能带结构 三. 带边有效质量 等能面为球面(m*为各向同性)时情况 在恒定外磁场中，晶体中的电子(或空穴)将作螺旋运动，回转频率：?0 = qB/mn*。 若在垂直于磁场方向加上频率为ω 的交变电场，当ω=ω0时，交变电场的能量将被电子共振吸收，这个现象称为回旋共振。 半导体的基本能带结构 三. 带边有效质量 3. 有效质量的测量——回旋共振 推测或验证材料的能带结构，确定能谷在布里渊区的哪些对称轴上 。 测定电子和空穴和有效质量(各向同性，各向异性) 回旋共振法用途 半导体的基本能带结构 三. 带边有效质量 3. 有效质量的测量——回旋共振 等能面为椭球面(m*为各向异性)时情况 测量磁场在某个面内不同方向上的回旋共振有效质量的值。 例如：Ge导带底等能面为旋转椭球，沿椭球旋轴Λ方向（111）的纵有效质量为ml*，垂直于Λ 方向的平面内各方向有效质量相同，为横有效质量mt* 。 Si和Ge的导带电子的情况比较复杂，因为它们的导带底不在Brillouin区中心，数目分别是6个和8个 并且导带底附近的等能面形状是椭球面，则其电子有效质量在椭球等能面的不同方向上有所不同（可区分为纵向有效质量ml*和横向有效质量mt*） 4. 常用半导体的有效质量 (1) Si和Ge的导带底附近有效质量 半导体的基本能带结构 三. 带边有效质量 对Si导带底电子： ml*=0.98mo, mt*=0.19mo 对Ge导带底电子： ml*=1.64mo， mt*=0.082mo 三. 带边有效质量 (2) Si和Ge的价带及轻空穴、重空穴 半导体的基本能带结构 三. 带边有效质量 Si、Ge的价带顶都位于Γ 点，等能面是扭曲的球面, 通常我们仍可将它们近似为一个球形。 价带顶是三度简并，一般只考虑价带顶附近两只简并带。 三. 带边有效质量 (2) Si和Ge的价带及轻空穴、重空穴 由于能带简并，Si和Ge分别具有有效质量不同的两种空穴，有效质量较大的(mph)称为重空穴，有效质量较小的(mpl)称为轻空穴。 半导体的基本能带结构 三. 带边有效质量 室温下，对Si价带顶附近的空穴： mpl = 0.16mo，mph = 0.49mo ； 对Ge价带顶附近的空穴： mpl = 0.04mo，mph =0.28mo 另外由于自旋-轨道耦合作用，还给出了第三种空穴有效质量(mp3)，这个能带偏离了价带顶，空穴不常出现。 对Si和Ge性质起作用的主要是重空穴和轻空穴。 GaAs的导带底位于Γ点，其导带底附近的等能面是球形的. mn*=0.067m0 其价带在Γ点简并，具有一个重空穴带和一个轻空穴带。 mpl=0.076mo，mph= 0.50mo 三. 带边有效质量 (3). GaAs的能带结构 半导体的基本能带结构 三. 带边有效质量 三. 带边有效质量 (4). GaN的能带结构 半导体的基本能带结构 三. 带边有效质量 六方纤锌矿GaN 三. 带边有效质量 半导体的基本能带结构 三. 带边有效质量 有效质量概括了半导体内部势场的作用，应用有效质量使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时不仅可以像讨论自由电子一样讨论晶体中电子的运动，而且由于与能带结构有关，有助于对能带的研究。 载流子有效质量概念都是源自于准经典近似的结果，这里所讨论的有效质量直接关系着能带结构。 但是在其他的应用场合中，载流子所表现出来的有效质量在数值上将有所不同。 例如在电导问题中，则需要采用所谓电导率有效质量；而在分析载流子浓度的分布问题中，则需要采用所谓状态密度有效质量。 Tips 小 结 了解：半导体的特性、分类及其发展趋势 重点掌握： 半导体的导带、价带、空穴 带隙、带隙的确定 有效质量的意义 理想的半导体材料 —— 没有缺陷或没有杂质 ——对纯的半导体材料掺入适当的杂质，可以提供载流子 实际的半导体 ——除了与能带对应的电子共有化状态以外，还有一些电子被杂