半导体工艺基础-光刻工艺.pptVIP

* 曝光光源的选择：紫外光用于光刻胶的曝光是因为光刻胶与这个特定波长的光反应。波长很重要，因为较短波长的可以获得光刻胶上较小尺寸的分辨率。 对准：是指光刻掩膜版与光刻机之间的对准，二者均刻有对准标记，使标记对准即可达到光刻掩膜版与光刻机的对准。 套准：对准的结果，或者每个连续图形与先前层匹配的精度，称为套准。 * 曝光，曝光剂量等于光强与曝光时间的乘积。曝光过度会导致图形侧墙倾斜； 入射光波长越短，可实现的特征尺寸越小，图形分辨率越高，但能量越小； 首次曝光需要对准晶向，多次曝光之间需要进行图形对准。 对准曝光 * * 光的反射、干涉、衍射与驻波 可反光的表面将入射光反射，并在光刻胶中于入射光发生干涉形成驻波现象。引起不均匀曝光。 * * * 9.2.5 显影 在显影过程中，正胶的曝光区和负胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解，而正胶的非曝光区和负胶的曝光区的光刻胶则不会在显影液中溶解。 曝光后在光刻胶层中形成的潜在图形，显影后便显现出来，在光刻胶上形成三维图形，这一步骤称为显影。 30～60 s * 显影后所留下的光刻胶图形将在后续的刻蚀或离子注入工艺中作为掩膜，因此，显影也是一步重要工艺。 显影效果主要因素包括：曝光时间、前烘的温度和时间、光刻胶的膜厚、显影液的浓度、显影液的温度、显影液的搅动情况等。 * 显影方式可以分为三个阶段： 硅片置与旋转台上旋转，并且在硅片表面上喷洒显影液； 硅片在静止的状态下进行显影； 显影完成之后，需要经过漂洗，之后再旋干。 * 9.2.6 坚膜 坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起的胶膜软化、溶胀现象，能使胶膜附着能力增强，抗腐蚀能力提高。 坚膜温度要高于前烘和曝光后烘烤温度，较高的坚膜温度可使坚膜后光刻胶中的溶剂含量更少，但增加了去胶时的困难。且光刻胶内部拉伸应力的增加会使光刻胶的附着性下降，因此必须适当的控制坚膜温度 。 10～30 min，100～140 ?C * 通过坚膜，光刻胶的附着力会得到提高，这是由于除掉了光刻胶中的溶剂，同时也是热融效应的结果，因为热融效应可以使光刻胶与硅片之间的接触面积达到最大。 较高的坚膜温度可使坚膜后光刻胶中的溶剂含量更少，但是增加了去胶的困难。而温度太高，光刻胶的内部拉伸应力会增加，会使光刻胶的附着性下降，所以必须适当控制温度。 坚膜 * 坚膜后还需要光学稳定。通过光学稳定，使光刻胶在干法刻蚀过程中的抗蚀得到增强，而且还可以减少离子注入过程中从光刻胶中逸出的气体，防止在光刻层中形成气泡。 光学稳定是通过紫外光辐照和加热来完成的。 光学稳定可以使光刻胶产生均匀的交叉链接，提高光刻胶的抗刻蚀能力，进而提高刻蚀工艺的选择性。 坚膜 * 9.2.7 显影检验 在显影和烘焙之后就要完成光刻掩膜工艺的第一次质检，通常叫显影检验。 目的是区分那些有很低可能性通过最终掩膜检验的衬底，提供工艺性能和工艺控制数据，以及分出需要重做的衬底。 * 检测内容： 掩膜版选用是否正确； 光刻胶层的质量是否满足要求； 图形质量； 套准精度是否满足要求。 * 光刻胶钻蚀 图形尺寸变化 套刻对准不良 光刻胶膜损伤 线条是否齐、陡 针孔、小岛 钻蚀 针孔、小岛、划伤 * 9.2.8 刻蚀 为了制作集成电路元器件，须将光刻胶上的图形进一步转移到光刻胶下层的材料上。这个任务由刻蚀完成。 刻蚀就是将涂胶前所淀积的薄膜没有被光刻胶覆盖和保护的那部分除掉，到达将光刻胶上的图形转移到其下层材料上的目的。 SiO2、Al、poly-Si等薄膜 光刻和刻蚀是两个不同的加工工艺，，，光刻。 * 9.2.9 去胶 光刻胶除了在光刻过程中作为从光刻掩膜版到衬底的图形转移媒介外，还可以作为刻蚀时不需刻蚀区的保护膜。 当刻蚀完成后，光刻胶已经不再有用，需要将其去除，就是去胶。此外刻蚀过程中残留的各种试剂也要清除。 * 去胶分为：湿法去胶和干法去胶； 湿法去胶中又有有机溶液和无机溶液去胶； 湿法去胶：用溶剂、用浓硫酸 98%H2SO4+H2O2+胶→CO+CO2+H2O 干法去胶：氧气加热去胶 O2+胶 → CO+CO2+H2O 等离子去胶 * 9.2.10 最终检验 在基本的光刻工艺过程中，最终步骤是检验。衬底在入射白光或紫外光下首先接受表面目检，以检查污点和大的微粒污染。之后是显微镜检验或自动检验来检验缺陷和图案变形。 显微镜目检、线宽控制、对准检查。 * 9.3 光刻技术中的常见问题 半导体器件和集成电路的制造对光刻质量有如下要求： 一、刻蚀的图形完整，尺寸准确，边缘整齐陡直； 二、图形内没有针孔； 三、图形外没有残留的被腐蚀物质。 同时要求图形套刻准确，无污染等。 但在光刻过程中，常