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- 2019-05-23 发布于山东
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§ 5·1 金属-氧化物-半导体场效应管 (MOSFET) 5.1.1N沟道增强型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET管 §5·2 场效应管放大电路 5·3 结型场效应管(JFET) 2、工作原理(以N沟道为例,工作时vGS必需为负 ) (1)、共源极放大电路 (2)、共源极放大电路 5.5.1各种FET的特性及使用注意事项 1、特性比较 场效应管放大电路的静态分析 场效应管是电压控制器件,它没有偏流,关键是建立适当的栅源偏压UGS。 1. 自偏压电路分析 结型场效应管常用的自偏压电路如图5.22所示。在漏极电源作用下 5.5.2 各种放大器件电路性能比较 输入电阻、电容均较小,适于高频、宽带电路 输入(出)电阻高(低)可作阻抗变换,用于输入(出)级或缓冲级 电压增益高输入电阻、电容均较大,适于中间放大级 用途 共基极电路 共栅极电路 共集电极电路共漏极电路 共射极电路 共源极电路 典型电路 输出电流与输入电流相等 输出电压与输入电压同相AV约等于1 输出电压与输入电压反相AV很大 组态命名依据及特征 电流跟随器 电压跟随器 反相电压放大器 通用组态电路 (2)选用放大器件和电路元件参数 例5.5.1 试设计一放大电路,要求其噪声低,能与具有高内阻的信号源匹
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