模拟CMOS集成电路设计-ch1-2.pptVIP

提纲 1、绪论 2、MOS器件物理基础 1、绪论 先修课程：模拟电路基础、器件模型、集成电路原理 教材： 模拟CMOS集成电路设计，[美]毕查德.拉扎维 著，陈贵灿 程军 张瑞智 等译，西安交通大学出版社。 参考教材： CMOS模拟电路设计（第二版）（英文版），[美] Phillip E. Allen, Douglas R. Holberg 著，电子工业出版社。 2、MOS器件物理基础 2.1 基本概念 2.1.1 MOSFET的结构 栅（G: gate）、源（S: source）、漏（D: drain）、衬底（B: bulk） MOSFET是一个四端器件 2.1.2 MOS符号 2.2 MOS的I/V特性 2.2.1 阈值电压（以N型FET为例） 耗尽（b）；反型开始（c）；反型（d） 阈值电压（VTH）定义 NFET的VTH通常定义为界面的电子浓度等于P型衬底的多子浓度时的栅压。 “本征”阈值电压 通过以上公式求得的阈值电压，通常成为“本征(native)”阈值电压，典型值为-0.1V. 在器件制造工艺中，通常通过向沟道区注入杂质来调整VTH 对于NMOS，通常调整到0.7V（依工艺不同而不同） 2.2.2 MOS器件的I/V特性 NMOS PMOS 截止区