化学气相沉积法原位合成碳纳米管增强铝基复合材料.DOCVIP

附件2 论文中英文摘要格式 作者姓名：何春年 论文题目：化学气相沉积法原位合成碳纳米管增强铝基复合材料 作者简介：何春年，男，1981年1月出生，2003年9月师从于天津大学 赵乃勤教授，于2008年3月获博士学位。 中 文 摘 要 碳纳米管（Carbon Nanotubes, CNTs）作为理想的增强增韧材料，在复合材料中具有重要的应用价值。然而，CNTs作为增强体以传统外加方式机械混合掺入金属基体中时，容易发生分散不均、与基体界面浸润性差、外力导致结构损伤等问题, 使其难以充分实现弥散强化和荷载传递作用，进而大大影响了CNTs对复合材料的增强效果。因此，寻求新的原位合成技术以克服现有方法的不足，是发展高性能CNTs增强金属基复合材料的关键。 针对上述问题，本文率先提出并实现了在金属铝粉上原位合成CNTs并制备铝基复合材料的新思路：首先利用沉积-沉淀法在铝粉表面上获得催化剂Ni颗粒，再采用化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）法催化合成CNTs，由此获得的CNTs(Ni)/Al复合粉末经压制-烧结后制成铝基复合材料块体。该方法实现了CNTs合成与铝粉混合的有机结合，避免了粉末混合过程中机械球磨对CNTs的结构损伤和污染，实现了CNTs在铝基体上的均匀分散和直接生长，从而大大改善了CNTs与基体的界面结合状况和增强了弥散强化效果，为高性能金属基复合材料制备提供了新的有效途径。 首先，在铝粉上获得均匀分散的纳米尺寸的催化剂颗粒是用CVD法合成CNTs的首要环节。本文采用沉积-沉淀法，以铝粉为催化剂载体，Ni(NO3)2?6H2O和NaOH为催化剂原料，制备出了Ni颗粒分散均匀、粒径均一的新型Ni/Al催化剂。结合沉积-沉淀工艺参数对Ni颗粒形貌与结构的影响规律研究，考察了还原温度与Ni颗粒粒径的内在关系，发展了通过还原温度调控Ni颗粒尺寸的有效途径，所制备的Ni颗粒呈较规则球状，其粒径约为5～20 nm。 其次，在铝粉基体上实现CNTs的直接生长和均匀分散是制备复合材料的关键。本文以甲烷气为碳源，利用CVD法首次在新型Ni/Al催化剂上合成了结构良好，形貌、产率可控的CNTs。在系统考察CVD工艺参数和条件对CNTs生长的影响规律的基础上，探讨了铝基体上CNTs的生长机制。结果表明：（1）催化剂Ni含量对CNTs的产率、形貌和结构影响显著，Ni含量小于20%时，产物为纯度较高的多壁CNTs，且Ni含量越小，CNTs的产率越低、结构完整度和结晶度越高，在铝粉中的分散越均匀；当Ni含量大于20%时，产物中出现碳纳米洋葱（Carbon Nano-onions, CNOs），且随Ni含量增大，CNOs数量增多，CNTs减少；当Ni含量为80%时，产物基本全部为CNOs；（2）反应温度对CNTs的产率与结构有重要影响，控制反应温度为630℃时，可获得具有较高纯度和结晶度的CNTs；（3）反应时间对CNTs的结构影响不大，但对产率与形貌作用明显；（4）反应气氛比和反应载气对CNTs产率、形貌与结构均有影响，以N2和H2混合气作载气时制备的CNTs纯度高，结构完整度和结晶度好。由此，确定了复合粉末制备的优化工艺：催化剂Ni含量≤2.5 wt%，还原温度400℃、还原时间2 h，合成温度630℃，反应气氛比例V甲烷: V氮气: V氢气 = 1: 8: 2。同时，对铝基体上CNTs生长机制的研究表明：Ni催化剂与铝基体之间作用力较弱，CNTs呈顶端生长机制，即在CNTs生长过程中，催化剂颗粒 在复合材料中基体与增强体之间良好的界面结构是保证其优良性能的关键环节之一。论文采用差热分析仪、X射线衍射仪和电子显微镜，分析了原位合成CNTs(Ni)/Al复合粉末及其块体复合材料的相变过程，研究了退火对CNTs-Al界面结构的影响规律，探讨了CNTs在复合粉末和复合材料中的热稳定性及其与铝基体之间的界面浸润行为，初步提出了原位合成CNTs与铝基体之间的界面润湿模型。结果表明：（1）CNTs-Al界面结构特性与退火温度密切相关，随着退火温度的升高，CNTs-Al界面间会反应生成Al4C3层，并逐渐增厚，同时CNTs结构发生演变；（2）CNTs与铝基体间的界面反应润湿动力学主要是通过Al4C3薄层沿着CNTs轴向长大进行的，其在垂直CNTs管轴方向的生长容易达到临界厚度；（3）CNTs与Al基体间生成的Al4C3薄层（1～3 nm）使界面形成了共价键，两者之间的润湿角大大减小，界面结合强度明显增加，使复合材料的载荷传递效率和力学性能得以提高。此外，根据本研究提出的界面润湿模型，通过对CNT 最后，以原位合成CNTs(Ni)/Al粉末为原料，采用粉末冶金工艺制备了复合材料块体。系统研究了成型工艺、烧结温度和时间等对复