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- 2019-05-23 发布于江苏
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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第5章 半导体存储器 5.4 存储器连接与扩充应用 ?存储器芯片选择/电平-时序配合/负载驱动/读写逻辑/效率 5.4.2存储器容量扩充-存储器单元数扩充(扩充数量) 4片8K×8b-6264构成32K×8b(地址:0000-7FFFH) 6000 4000 2000 0000 7FFF 5FFF 3FFF 1FFF A14 A13=00,01,10,11 A12~A0: 000…00~111...11 第5章 半导体存储器 5.4 存储器连接与扩充应用 ?存储器芯片选择/电平-时序配合/负载驱动/读写逻辑/效率 5.4.3 RAM存储模块--存储器扩充实例 模块:不同的标准(机械/电气) 30线(8+1位)SIMM, 72线(32+4位)SIMM; 168线、184线、240线(64+8位)DIMM (DDR,DDR2..) 参考P219 扩充 原理图 240线 内存条 第5章 半导体存储器 5.5 CPU与存储器的典型连接 8086/8088典型连接--地址线、数据线和控制线 地址分配和片选问题 关键:正确的地址译码 ?存储器:两级译码:片内(低地址)-片选(高位地址) 片
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