组原补充：二极管、三极管开关特性.pptVIP

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2019-05-26 发布于广东
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组原补充：二极管、三极管开关特性.ppt

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2. 1. 1 理想开关的开关特性一、静态特性 ① 断开 ② 闭合 S A K 2. 1 半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关特性 2. 1. 1 理想开关的开关特性 S A K 2. 1 半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关特性二、动态特性 ① 开通时间： ② 关断时间：闭合）（断开断开）（闭合普通开关：静态特性好，动态特性差半导体开关：静态特性较差，动态特性好几百万/秒几千万/秒 2. 1. 2 半导体二极管的开关特性一、静态特性 ① 外加正向电压(正偏) 二极管导通(相当于开关闭合) ② 外加反向电压(反偏) 二极管截止(相当于开关断开) 阴极 A 阳极 K PN结 - A K + P区 N区 + + + + + + + + - - - - - - - - 1. 结构示意图、符号和伏安特性 D + - + - 2. 二极管的开关作用： [例] uO = 0 V uO = 2.3 V 电路如图所示，　　试判别二极管的工作状态及输出电压。二极管截止二极管导通 [解] D 0.7 V + - 一、静态特性 NPN 2. 1. 3 半导体三极管的开关特性发射结集电结发射极 emitter 基极 base 集电极 collector b iB iC e c (电流控制型) N N P 1、结构示意图和符号 2. 半导体三极管的开关应用发射结反偏 T 截止发射结正偏 T 导通 + ? Rc Rb +VCC (12V) + uo ? iB iC T uI 3V -2V 2 k? 2.3 k? 2. 1. 4 MOS 管的开关特性 (电压控制型) MOS（Mental – Oxide – Semiconductor）金属 – 氧化物 – 半导体场效应管一、静态特性 1. 结构和特性： (1) N 沟道栅极 G 漏极 D B 源极 S iD + - uGS + - uDS 衬底　　P 沟道增强型 MOS 管与 N 沟道有对偶关系。 (2) P 沟道栅极 G 漏极 D B 源极 S iD + - uGS + - uDS 衬底参考方向 2. MOS管的开关作用： (1) N 沟道增强型 MOS 管 +VDD +10V RD 20 k? B G D S uI uO +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO 开启电压 UTN = 2 V iD +VDD +10V RD 20 k? G D S uI uO RON RD (2) P 沟道增强型 MOS 管 -VDD -10V RD 20 k? B G D S uI uO -VDD -10V RD 20 k? G D S uI uO -VDD -10V RD 20 k? G D S uI uO 开启电压 UTP = - 2 V iD