电磁干扰的抑制屏蔽.pptVIP

磁通为 电磁屏蔽技术 电磁干扰抑制的屏蔽技术 概述 电屏蔽 磁屏蔽 电磁屏蔽 孔缝对屏蔽效能的影响 屏蔽设计要点 电磁密封处理 限制内部能量泄漏出内部区域 （主动屏蔽） 概述 屏蔽的含义： 3. 原理： 电子设备 用导电或导磁材料制成的屏蔽体将电磁干扰能量限制在一定范围内。 2. 目的： 防止外来的干扰能量进入某一区域（被动屏蔽） 二次场理论（一次场作用下，产生极化、磁化形成二次场); 反射衰减理论 4. 屏蔽的分类（按工作原理） 电场屏蔽：静电屏蔽、低频交变电场屏蔽（利用良好接地 的金属导体制作） 磁场屏蔽：静磁屏蔽、低频交变磁场屏蔽（利用高导磁率 材料构成低磁阻通路） 电磁屏蔽：用于高频电磁场的屏蔽（利用反射和衰减来隔 离电磁场的耦合） 屏蔽效能( SE ) 屏蔽效能：屏蔽体的性质的定量评价。 定义： 或 或 电屏蔽效能 磁屏蔽效能 E0、H0 —— 未加屏蔽时空间中某点的电（磁）场； E1、H1—— 加屏蔽后空间中该点的电（磁）场； 120 1 1000000 100 1 100000 80 1 10000 60 1 1000 40 1 100 20 1 10 屏蔽效能 SE（dB） 有屏蔽场强 无屏蔽场强 衰减量与屏蔽效能的关系 100以上 屏蔽室、屏蔽舱 80 TEMPEST设备 60 军用设备 40以下 民用产品 屏蔽效能 SE（dB） 机箱类型 屏蔽效能的要求 分类：静电屏蔽、低频交变电场屏蔽 电场屏蔽 静电屏蔽 电场屏蔽的作用：防止两个设备（元件、部件）间的电容性 耦合干扰 原理：静电平衡 要求：完整的屏蔽导体和良好接地 2. 低频交变电场屏蔽 目的：抑制低频电容性耦合干扰 （1）未加屏蔽 （2） 加屏蔽（忽略CSR1的影响） 未加屏蔽的耦合 S R ～ CSR0 CR US UN0 加屏蔽的耦合 S R ～ CSR1 CR US UN1 C1 C2 C3 Up 分析方法：应用电路理论分析 讨论:（1）屏蔽体不接地，若 （2）屏蔽体接地 屏蔽体接地 S R ～ CSR1 CR US UN1 C1 C2 （3）屏蔽体接地时，CSR1的影响 屏蔽效能: ～ CSR CR US UNP C2 等效电路 屏蔽体的材料以良导体为好，对厚度无什么要求 屏蔽体的形状对屏蔽效能有明显的影响 电场屏蔽的设计要点 屏蔽体要靠近受保护的设备 屏蔽体要有良好的接地 磁场屏蔽 1．原理 高频磁场屏蔽 高频磁场 金属板 涡流 反磁场 低频磁场屏蔽（f 100kHz） 利用高导磁率的铁磁材料（如铁、硅钢片、坡莫合金），对干扰磁场进行分路。 利用低电阻的良导体中形成的涡电流产生反向磁通抑制入射磁场。 2．屏蔽效能计算 解析方法：圆柱腔、球壳的屏蔽效能计算 近似方法：应用磁路的方法。 如：长为l 、横截面为 S 的一段屏蔽材料，则其磁阻为 磁阻： 磁压降： 磁通： 的方程 外磁场 的磁标位 (1) 圆柱形腔的磁屏蔽效能 方法：磁标位 内半径为a 、外半径为b，磁导率为 ，外加均匀磁场 a b （2）用磁路方法计算屏蔽效能 矩形截面屏蔽体： 、厚度 ， 流经屏蔽体的磁通： 流经空腔的磁通： 总磁通： ，则 外磁场 ；屏蔽体内 ；腔内 磁路计算： 对于磁路CS： 从P1到Q1: 磁阻为 磁压降 从Q1 到 Q2: 故 对于磁路C1： CS C1 由于 于是有： 故 若 若 讨论： 屏蔽体应选用高导磁率的材料，但应防止磁饱和 被屏蔽物体不要紧贴在屏蔽体上 磁场屏蔽的设计要点 注意屏蔽体的结构设计，缝隙或长条通风孔循着磁场方向分布 对于强磁场的屏蔽可采用多层屏蔽，防止发生磁饱和 尽量缩短磁路长度，增加屏蔽体的截面积（厚度） 对于多层屏蔽，应注意磁路上的彼此绝缘 电磁屏蔽 1. 原理与分析方法 原理： ①表面反射（R— 反射损耗） ② 屏蔽材料吸收衰减（A— 吸收损耗） ③ 多次反射（B — 多次反射修正） 分析方法： ① 电磁感应原理.计算屏蔽体上的涡流的屏蔽效应来计算屏 蔽效能 ② 平面波的反射与折射来计算反射与