PN结与二极管原理.pptVIP

反向恢复过程限制了二极管的开关速度。 要保持良好的开关作用，脉冲持续时间不能太短，也就是脉冲的重复频率不能太高，这就限制了开关速度。 输入电压是一连串正负相间的脉冲 T 负脉冲的持续时间T比二极管的反向恢复时间大得多 负脉冲并不能使二极管关断 反向恢复时间——使输出伴有延迟，决定了工作频率； PN结的电荷贮存效应——反向延迟的原因 反向恢复过程 是由电荷贮存效应引起的； 正向偏压 正向导通时少数载流子积累的现象，叫电荷贮存效应; ——电流惯性 正向电流越大，贮存电荷量越多，曲线向上越高。 正向导通时 在各区的贡献 反向时P区积累的电子极容易通过 E 反向恢复过程中的载流子浓度的变化 ①变到④这段时间就是贮存时间 ts ⑤变到⑥过程所需的时间就是下降时间 tf 在各区的残留电荷 反向饱和 I0 增大初始反向电流 IF ，即要求增大U2 ，减小 R 加快反向抽取变化， 反向抽取动态变化 贮存电荷的贡献 贮存电荷量越多，二极管的反向恢复时间就越长。 （2）雪崩击穿的电压 单边突变结雪崩击穿电压 低掺杂浓度 雪崩击穿电压 3、线性缓变结的雪崩击穿电压 最大场强 2.4.3 影响雪崩击穿电压的因素 杂质浓度 如果衬底杂质浓度N0高，就容易被击穿。 场强不同 击穿电压的因素：杂质的浓度，外延层厚度、扩散结结深和表面状态。 1、杂质浓度对击穿电压的影响 2、雪崩击穿电压与半导体外延层厚度的关系 外延层（低掺杂区）厚度 W 击穿电压由N型区的电阻率决定 外延层较宽 W 外延层: 同型材质的低掺杂区； 反向偏压增大 势垒区扩展 结面 场强随着反向偏压升高而增大 较低的反向偏压下就会击穿 外延层较薄 外延层较薄 势垒区扩展：穿通效应； 难以进入重掺杂区； 边界 增加的反向偏压 结面 条件：相同的偏压，N区的掺杂浓度相同但厚度不同。 3、扩散结结深对击穿电压的影响 纵向扩散 横向扩散 先发生击穿 由于碰撞电离率随电场强度的增加而快速增大，因此他们的击穿电压为： 为减小结深对击穿电压的影响，可采取的措施： 1、深结扩散：增加曲率半径，减弱电场集中现象，提高 雪崩击穿电压； 2、磨角法：将电场集中的柱面结和球面结磨去，形成台 型的PN结； 3、采用分压环 4、表面状态对击穿电压的影响 势垒宽度变薄，击穿电压下降 沟道漏电 反型层 带正电的二氧化硅的正电荷会使： 2.5 PN结的电容效应 空间电荷区的电荷量随着外加偏压而变化 —— PN结具有电容效应 电子 空穴 Depletion capacitance ＰＮ结具有两种电容： 势垒电容和扩散电容。 2.5.1 PN结的势垒电容 外加反向偏压减小 结上压降下降 空间电荷区宽度的减小 空间电荷量减少 反向偏压增加 结上压降增大 空间电荷区宽度增大 空间电荷区电荷量增加 PN结电容只在外加电压变化时才起作用——交流影响 外加电压频率越高，电容的作用也越显著——高频影响 PN结势垒电容(Barrier capacitance)——电容效应发生在势垒区。 + - + - 充 电 放电 1、PN结的势垒电容 PN结势垒电容与平行板电容器很相似，但有区别。 半导体介质的电容率 结面积 PN结电容——通直流，空间电荷区宽度可变化， 势垒电容是偏压U的函数； 通常的电容器——隔直流，极板间的距离d是一个常数， 电容量C与电压U无关； 注意区别： A 随外加电压变化而变化 只要有一定面积，并电荷发生变化，就会产生电容效应； 2、单边突变结势垒电容 正向偏压会使势垒电容增大，反向电压会使势垒电容减小。 UT = UD±U 比较 什么含义？ 反向电压：+ 外加电压 电位差 3、线性缓变结势垒电容 上面的公式均在耗尽层下推倒的，当PN结反偏电压较高时，耗尽层近似是合理的，然而反向偏压较低，特别是施加正向偏压时，空间电荷区有大量的载流子通过，PN结的势垒电容将产生较大的误差，必须进行修正： 不对称突变结： 对称突变结： 线性缓变结 其中： 4、实际扩散结势垒电容 扩散结势垒电容的计算十分复杂，通常采用查表法求得。教材图2.58是在耗尽层近似下，用电子计算机计算的结果绘出的图表曲线，适用于余误差分布和高斯分布。 考虑PN结的势垒电容之后，在交流情况下，PN结可以看成一个交流电导（或动态电阻）和一个势垒电容相并联的等效电路。