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集成电路 Contents 集成电路的定义 集成电路的分类 集成电路的工艺 微电子技术课程ppt 微电子技术课程ppt 集成电路定义 集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或 几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、 低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。 集成电路分类 按其功能结构：可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大  集成电路类。 按制作工艺：半导体集成电路和膜集成电路。 按导电类型：双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。 微电子技术课程ppt 集成电路分类 按集成度高低： 小规模集成电路：SSI 英文全名为 Small Scale Integration, 逻辑门10个以下 或 晶体管 100个以下。 中规模集成电路：MSI 英文全名为 Medium Scale Integration, 逻辑门11~100个 或 晶体管 101~1k个。 大规模集成电路：LSI 英文全名为 Large Scale Integration, 逻辑门101~1k个 或 晶体管 1,001~10k个。 超大规模集成电路：VLSI 英文全名为 Very large scale integration, 逻辑门1,001~10k个 或 晶体管 10,001~100k个。 特大规模集成电路：ULSI 英文全名为 Ultra Large Scale Integration, 逻辑门10,001~1M个 或 晶体管 100,001~10M个。 巨大规模集成电路：GLSI 英文全名为 Giga Scale Integration, 逻辑门1,000,001个以上 或 晶体管10,000,001个以上。 微电子技术课程ppt 集成电路生产工艺 前部工序的主要工艺 1. 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 2. 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 3. 制膜：制作各种材料的薄膜 微电子技术课程ppt 集成电路生产工艺 图形转换： 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂： 离子注入 退火 扩散 制膜： 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 CVD：APCVD、LPCVD、PECVD PVD：蒸发、溅射 微电子技术课程ppt 集成电路生产工艺 后部封装 （在另外厂房） （1）背面减薄 （2）划片、掰片 （3）粘片 （4）压焊：金丝球焊 （5）切筋 （6）整形 （7）封装 （8）沾锡：保证管脚的电学接触 （9）老化 （10）成测 （11）打字、包装 微电子技术课程ppt 微电子技术课程ppt 集成电路生产工艺 集成电路生产工艺 图形转换：光刻 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变 正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶 负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3m的线条 微电子技术课程ppt 微电子技术课程ppt 集成电路生产工艺 正胶：曝光后可溶 分辨率高 负胶：曝光后不可溶 分辨率差 集成电路生产工艺 图形转换：光刻 几种常见的光刻方法 接触式光刻、接近式曝光、投影式曝光 微电子技术课程ppt 集成电路生产工艺 图形转换：光刻 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙(10～25m)，可以大大减小掩膜版的损伤，分辨率较低 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式 微电子技术课程ppt 集成电路生产工艺 微电子技术课程ppt 湿法刻蚀 利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。 干法刻蚀 主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基（处于激发态的分子、原子及各种原子基团等）与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 图形转换：刻蚀技术 集成电路生产工艺 图形转换：刻蚀技术 湿法腐蚀： 湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀 优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低 缺点是钻蚀严重、对图形的控制性较差 微电子技术课程ppt 集成电路生产工艺 图形转换：刻蚀技