第11章气相沉积技术-new.pptVIP

下载本文档

1
0
约1.63万字
约 91页
2019-05-26 发布于江西
举报
版权申诉

第11章气相沉积技术-new.ppt

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * （4）磁控溅射离子镀磁控溅射离子镀是将磁控溅射的大面积稳定的溅射源和离子镀技术的高能离子对基片的轰击作用结合起来的技术。在一个装置中实现氩离子对磁控靶(由膜材制成)的大面积稳定的溅射过程，与此同时，在基板的负偏压的作用下，高能的靶材元素离子在工件(基板)上发生轰击、溅射、注入及沉积过程。 * 上一页下一页磁控溅射离子镀工作原理：工作时，通入氩气使气压为10-2～10-3Pa；磁控靶加上400～1000 V的直流电压；低压气体辉光放电，氩离子在电场的作用下轰击靶面，靶材原子被溅射出来，部分被离化后在基板负偏压作用下高速飞向工件，沉积成膜。利用磁控溅射离子镀，可以使膜－基界面形成明显的过渡层，因此镀层的附着性良好，能形成均匀的颗粒状晶体，并使材料表面合金化。 * 上一页下一页真空容器永久磁铁磁控阳极磁控靶磁控电源真空系统 Ar充气系统基板磁控溅射离子镀示意图 * 离子镀膜是真空蒸发与溅射相结合的一种镀膜工艺，兼有蒸镀和溅射的优点，克服了两者沉积粒子能量低、膜层结合力不高的缺点。对于真空蒸镀、溅射、离子镀三种不同的镀膜技术，入射到基片上的每个沉积粒子所带的能量是不同的。热蒸镀原子大约0.2eV，溅射原子大约1～50eV，而离子镀中轰击离子大概有几百到几千eV。离子轰击是既有离子又有原子的粒子轰击。粒子中不仅有氩粒子还有镀料粒子，在镀膜初期还会有由基片表面溅射出来的基材粒子。与蒸镀和溅射镀相比，离子镀的特点：上一页下一页离子轰击既可以提高镀料原子在膜层表面的迁移率，又有利于获得致密的、结合力高的膜层。蒸镀的膜层残余应力为拉应力，而离子轰击产生压应力，可以抵消一部分拉应力。离子镀沉积速率快，镀前清洗简单、对环境无污染。 * 上一页下一页 * 离子镀可镀材料广泛，如可在金属、塑料、陶瓷、玻璃、纸张等材料上涂覆具有不同性能的单一镀层、化合物镀层、合金镀层。离子镀的缺点是氩离子的轰击会使膜层中的氩含量升高。如果离子能量过高会使基片温度升高，使镀料原子向基片内部扩散，这时获得的就不再是膜层而是渗层，离子镀就转化为离子渗镀了。上一页下一页 * 表面强化的耐磨镀层；表面致密的耐蚀镀层；减摩润滑镀层；装饰镀层；电子学、光学、能源科学所需要的特殊功能镀层。 3. 离子镀膜的应用上一页下一页 * 10.3 化学气相沉积(CVD) 化学气相沉积是一种化学气相生长法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基片的反应室，借助气相作用或在基片上的化学反应生成所希望的薄膜。 10.3.1 CVD的基本工艺过程和特点 1. CVD基本过程反应气体的获得且导入反应室；反应气体到达基片表面并吸附于其上，并在基片上发生化学反应；固体生成物在基片表面形核、生长；多余的反应产物被排除。跳转下一页 * CVD反应类型及所沉积材料 * 2. CVD的特点可在中温或高温下，在大气压(常压)或者低于大气压下(低压)进行沉积。薄膜的均匀性好，且内应力低，可沉积较厚的膜层。如沉积金刚石薄膜可达到1mm，而PVD沉积的薄膜一般仅为几个微米到几十个微米。镀层的化学成分可变、密度和纯度可控，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。绕镀性好，可在复杂形状的基体上或者颗粒材料上镀制。可形成多种金属、合金、陶瓷和化合物镀层。上一页下一页 * 10.3.2 CVD的方法 10.3.2.1 等离子体化学气相沉积（PCVD）借助外加电场的作用引起放电，使原料气体变成等离子体状态，成为化学上活泼的激发分子、原子、离子和原子团等，促进基材表面化学反应形成薄膜的方法。 PCVD法可分为：直流法（DCPCVD）、射频法（RFPCVD)和微波法（MWPCVD)等。 * 直流PCVD原理沉积室接电源正极，基片接负极。首先用机械泵抽至10Pa左右真空度，先通入氢气和氮气，接通电源产生辉光放电，产生氢离子和氮离子轰击基片，进行预轰击清洗净化，使基片升温至500℃，再通入TiCl4，气压调至102～105Pa进行TiN沉积。直流PCVD装置示意图上一页下一页 * 直流PCVD技术的特点：沉积温度低－如PCVD沉积TiN膜，成膜温度仅为500℃，而传统的CVD为1000℃左右，因此可在不耐高温的材料上沉积成膜。膜与基材结合强度高－这是由于离子具有溅射清洁表面和轰击效应。成膜速度快。可制膜层材料的范围广－由于等离子体的激发，使得难以发生反应的成膜材料沉积成膜。其

您可能关注的文档

文档评论（0）

小教资源库 + 关注: 实名认证

文档贡献者

该用户很懒，什么也没介绍

咨询Ta 进入空间

1亿VIP精品文档

更多 >

第11章气相沉积技术-new.pptVIP