第一章三极管简要介绍.pptVIP

Chapter 3 §1.4 双极型晶体三极管（BJT） 思考的问题： 双极型晶体三极管是 通过什么方式来控制电流的？ 为什么晶体三极管可用于放大？ 1.4.1半导体三极管的结构 1.4.2 三极管的工作原理 二 、共发射极接法时BJT的电流控制关系 1.4.3 半导体三极管的特性曲线 例1： 例2：测得电路中三极管3个电极的电位如图所示。问哪些管子工作于放大状态，哪些处于截止、饱和、倒置状态，哪些已损坏？ 1.4.4. 三极管的其它形式 1.4.6 三极管的判别及手册的查阅方法 半导体三极管图片 本节小结 三极管放大的外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 三极管的内部工艺：发射区高掺杂，基区低掺杂且很薄，集电区面积大。 三极管内部的电流分配关系是一定的： 分析三极管用到输入特性曲线和输出特性曲线，输出特性曲线有三个区：饱和区、线性放大区和截止区。 ?0 0.1 0.5 ?0.1 0.6 ~ 0.7 ?0.2 ~ ?0.3 0.3 ?0.1 0.7 ?0.3 硅管(NPN) 锗管(PNP) 可靠 截止 开始 截止 UBE/V UBE/V UCE/V UBE/V 截 止 放大 饱和 工 作 状 态 管型 三极管结电压的典型值 + + ? ? iB iC uBE uCE 工作于放大状态的4个三极管的各管脚对“地”电位如图所示。试判断各三极管的类型（是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管），并确定e、b、c三个电极。 （a） 3V 3.7V 8V ? ? ? ?3V 2V 2.3V ? ? ? （b） ?5V ?0.6V 0V ? ? ? （c） ?0.8V 6V ?1V ? ? ? （d） （a） 3V 3.7V 8V ? ? ? ?3V 2V 2.3V ? ? ? （b） ?5V ?0.6V 0V ? ? ? （c） ?0.8V 6V ?1V ? ? ? （d） （a）NPN型硅管，?-发射极，?-基极，?-集电极 （b）PNP型锗管，?-集电极，?-基极，?-发射极 （c）PNP型硅管， ?-集电极，?-基极，?-发射极 （d）NPN型锗管，?-基极，?-集电极，?-发射极 分析： 1）工作于放大状态的三极管，发射结应正偏，集电结应反偏，因而NPN型有VCVBVE， PNP型有VCVBVE。可见基极电位总是居中，据此可确定基极。 2）硅管|VBE|=0.6~0.8V，锗管 |VBE|=0.2~0.4V，则与基极电位相差此值的电极为发射极，并可判断是硅管还是锗管。 3）余下一电极为集电极。 4）集电极电位为最高的是NPN型管，集电极电位为最低的是PNP型管。 （a） （b） （c） （d） （e） （f） （g） （h） （a） （b） （c） （d） （a）发射结、集电结均反偏，管子截止。 （b）发射结反偏、集电结正偏，管子倒置。 （c）发射结正偏、集电结反偏，管子放大。 （d）发射结、集电结均正偏，管子饱和。 （e）发射结正偏、集电结反偏，管子放大。 （f）发射结正偏、集电结反偏，管子放大。 （g）发射结、集电结均正偏，管子饱和。 （h）发射结正向压降2.7V，管子损坏。 （e） （f） （g） （h） 1）复合三极管 β＝β1 β2 复合管的类型取决于T1管 2）光电三极管和光电耦合器 将光信号转变为电流信号，且可将光电流放大β倍。 光电三极管 光电耦合器 实现电-光-电的传输和转换。 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 1、直流参数 (1)直流电流放大系数 ① 共发射极直流电流放大系数 1.4.5 半导体三极管的参数 ②共基极直流电流放大系数 显然 与 之间有如下关系: （2）极间反向电流 ①集电极-基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。 ②集电极-发射极间的反向饱和电流ICE