第三章-双极晶体管.pptVIP

7．晶体管的基极电阻 晶体管的基区中有两类载流子在流动，一类是从发射区 注入到基区的少数载流子(对n-p-n晶体管来说是电子)，另 一类是多数载流子，它主要起这样的作用：提供注入到 基区的少子的复合所需的多子，提供向发射区注入少子 所需的多子。近似地说，基区中少子的运动是垂直于结 面的扩散运动(如果有自建电场，还应加上漂移运动)，而 多子流的运动方向则与少子扩散流的方向垂直，是平行 于结面的漂移运动，由于基区很薄，基区存在一定的电 阻，在多子流过基区时会产生压降，它对晶体管的特性 有影响，如发射极电流集边效应，放大、频率特性变差 和基极电阻引起的噪声等。 基极电阻通常称为基极扩展电阻。晶体管的基极电流平行于结平面。当基极电流流过基区时，将产生平行于结面的横向压降，使发射结偏压从边缘到中心逐渐减小，产生发射结电流的集边效应。 梳状晶体管的基极电阻由四部分组成：发射区下面的电阻 ， 发射区和基极金属电极之间的电阻 ，基极金属电极下面部分的电阻 及基极金属电极与半导体的接触电阻 。 发射区下面的基极电流分布是不均匀的，在发射 区边沿基极电流为 (考虑到有两条基极)，而 在发射区中心，基极电流近似为0。假定基极电 流是线性分布的，并令坐标原点在发射区边沿 上，此时IB可写为： （3-207） 将上式从0到x积分，并取 处电位为零，可得： （3-208） 基区平均电 压： （3-209） 为基极金属电极与半导体材料的欧姆接触电阻 （3-213） RC为金属与半导体材料的欧姆接触系数。 因此，梳状晶体管每个单元的基极电阻为： （3-214） 具有n条发射极的梳状晶体管的基极电阻为n个单元的基极电阻的并联： （3-215） 截止频率 A.基区渡越时间 设基区少子—电子的有效速度为 ,基区电子电流: (3-219) (3-220) (3-221) 对均匀基区： B.发射结过渡电容充电时间 正向偏置的发射结扩散电容和势垒电容估计为零偏时的四倍。电容与结电阻并联，充电时间： (3-224) C.集电结耗尽层渡越时间 假设载流子达到饱和速度 (3-225) D.集电结电容充电时间