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;1:光学薄膜材料;1.1:光学薄膜的基本要求;1.1.1:透明度; 一般介电质材料在中红外区就出现长波晶格振荡吸收,因此介电质材料的λL就发生在中红外区.
由固体材料所得到的结论并不能立即应用在薄膜上,原因是结构已经发生了变化,空隙及杂质的掺入,而有些化合物蒸镀时发生分解而造成吸收,如硫化物,硒化物薄膜,甚至部分氧化物及氟化物也是有如此的问题.
; 透明度的降低可分为吸收和散射两种造成,这些吸收及散射影响薄膜的光学特性且与能否承受高的辐射有关.举例来说,干涉滤光片的透射率及雷射镜片的反射率以及波导的传输距离受到薄膜是否吸收或散射的影响很大.
膜层中发生吸收损耗的原因很多,前述的能阶吸收,晶格振荡吸收,自由载子吸收是主要原因,其他如杂质的存在,膜层的晶态不完整,化合物有了分解等等都是.可以预见的是,高折射率材质比低折射率材质有高的吸收,原因是高折射率材质的λs会比其块状材料向长波偏移.
倘若原子量增大,离子性减少则会使λL移向长波区,一般的红外材料的特性正式如此.
; 半导体材料由于△E很小,自由载子浓度随温度上升而增加,致使透明度下降,例如在室温时Ge 在10000nm的吸收为0.02cm-1,到了70℃就上升到0.12cm-1. 100℃就到0.4cm-1.
;光学材料的透明区
;1.1.2:折射率; (1):与组成膜的化学元素有关
折射率是价电子在电场中极化的表现.若元素外层的电子容易被极化,则其n必高,
所以对于单元素材料来说,原子量越大折射率越高.例如:在4000nm时,碳为2.38 矽为3.4 锗为3.4.
对于化合物材料来说,共价键者比离子键者有较高的折射率,因为共价键化合物的离子性小易被极化.
; (2):与构成膜的晶态有关
在不同的蒸镀条件下,薄膜的晶态会不同,因而造成了不同的折射率.
例如TiO2在基板Ts=20℃--350 ℃间,折射率从1.9变到2.3(@500nm).
又ZrO2当Ts=20℃--350 ℃.折射率从1.7变到 2.05(@500nm).
; (3):与成膜的晶粒大小及堆积密度有关
组成膜层的晶粒大小及堆积密度会影响膜层的折射率.而影响膜层的晶粒或大或小,堆积密度或紧或松与基板温度Ts,蒸镀时的气压P有关.一般来讲,温度越高,气压越低则晶粒越大,堆积密度越高,因而n越大,常见的例子是MgF2膜.(下图是MgF2的Ts与n特性说明)
;
其他例子如氧化物膜:TiO2,Ta2O5,CeO2,Al2O3等也是如此.但若用离子源辅助镀膜或离子束溅射镀等则可能使薄膜成为非晶态.此时虽无晶粒或晶粒非常小,但因堆积密度甚高,所以这种膜的折射率反而更高.
; (4):与膜的化学成分有关
在蒸镀过程中材料的化学成份有时会分解,然后再结合,因此会造成化学成份的变化.例如冰晶石蒸镀成膜后的折射率可从1.30到1.38,原因是冰晶石Na3AlF6分解成NaF及AlF3. 其中NaF的折射率为1.29-1.34,而AlF3的折射率是1.385.
另一个例子是SiOx薄膜,x=1的n=1.9,x=1.5,n=1.55.x=2,n=1.45.
而SiNx薄膜,x=0,n=3.5 x=1.33,n=1.72
;1.1.3:堆积密度;1.1.4:散射;1.1.5:薄膜均匀性;1.1.6:机械性质,硬度,附着力及应力; 膜层的应力会影响到它的牢固性.膜的应力分为两种,一种是膜本身结构造成,成为内应力,当膜成长中越长膜越厚堆积密度越小则呈现张应力.当堆积密度越来越大时呈现压应力.
另一种是热应力,即冷却后因薄膜与基板的膨胀系数不同而收缩程度不同,于是造成应力,尤其多层膜的问题更大.为使总应力减低,一般可取一层张应力,一层是压应力交互加叠(ZnS与Na3AlF6搭配制多层膜为一常见的例子).且两种材料的热膨胀系数接近,此方法是可使总应力降低到最小.但有时并非如此.一般镀后的退火,也有助于应力的降低.
一般的应力在膜层初长时为最高,随着镀膜加厚才渐渐降低.因此第一层膜与材料基板的匹配甚为重要.其结构,成份及其膨胀系数最好能与基板接近.
;1.1.7:化学稳定性; 有的化学变化会来自薄膜材料与基板本身,例如含有PbO的玻璃基板镀上La2O3则会起化学变化产生具有吸收性的金属铅.此时会在镀前先镀一层SiO2当隔离层.
这种方法同样适用在镀透明导电膜ITO上,以确保不会有钠渗入ITO,而使透明度及导电性不变差.
当然,膜层与膜层间的化学变化也应避免,也就是说材质的匹配化学性亦是考虑因数之一.
;1.1.8:辐射能量的承受;1.2:常用光学薄膜
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