第四节 晶体三极管的伏安特性曲线.pptVIP

2、截止区： 晶体三极管工作在截止模式，即 发射结反偏，集电结反偏。 从输出特性曲线上看，工程上，可规定 IB = 0 （相应地 IC = ICEO ）以下的区域称为截止区。 特点： （1）、VCE 很大，其值接近偏置电压。 （2）、 严格的说，截止区应该是 IE = 0 以下的区域。 当 IE = 0 时 IC = ICBO ，IB = - ICBO * 感谢你的观看 2019年5月24 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 第四节 晶体三极管 ————的伏安特性曲线 * 感谢你的观看 2019年5月24 晶体三极管的理论伏安特性曲线，可以根据埃伯尔斯——莫尔方程直接画出来。 理论伏安特性曲线： 是不考虑中性区所固有的体电阻、制造工艺上的离散性以及其它的寄生影响等因素。 如果考虑到这些影响，则实际的伏安特性曲线将偏离理论伏安特性曲线。一般都采用实验方法逐点描绘出来或用晶体三极管测试仪直接侧得。 * 感谢你的观看 2019年5月24 双口网络 V1 I2 I1 V2 共基极 VEB IC IE VCB C E B * 感谢你的观看 2019年5月24 共发射极 共集电极 VBC IE IB VBC E B C VCE IC IB VBE B C E * 感谢你的观看 2019年5月24 以共发射极为例： 根据电路可知： 有四个变量 IB 、VBE 、IC 、VCE 输入特性曲线族 输出特性曲线族 或 VCE IC IB VBE E C B * 感谢你的观看 2019年5月24 在某些应用场合下，还需要其它形式的特性曲线，这些特性曲线都可以从上述的输入和输出特性曲线转换得到。 例如： 转移特性曲线族 电流放大特性曲线族 * 感谢你的观看 2019年5月24 一、输入特性曲线族： 实际测量得到的输入特性曲线族。 0 IEBO +ICBO V(BR)BEO IB /μA VCE = 10V VCE = 0.3V VCE = 0 0.7 0.6 0.5 VBE /V 0.8 * 感谢你的观看 2019年5月24 基区宽度调制效应： WB VCE WBO IB N P N WBO * 感谢你的观看 2019年5月24 二、输出特性曲线族： 实际测量得到的输出特性曲线族。 放 大 区 击 穿 区 饱和区 截止区 IC /mA IB=-ICBO(IE=0) V(BR)CBO V(BR)CEO IC=ICBO IC=ICEO VCE/V 10μA IB=0 40μA 30μA 20μA * 感谢你的观看 2019年5月24 根据外加电压大小的不同，整个曲线族可划分为四个区，即放大区、截止区、饱和区、击穿区。 1、放大区： 晶体三极管工作在放大模式，即 发射结正偏，集电结反偏。 IC 与 IB 之间满足直流传输方程，即 特点： （1）、若设 为常数，当 IB 等量增加时，输出特性曲线也将等间隔的平行上移。由于基区宽度调制效应，当VCE 增大时，基区复合减小，导致 和相应的 略有增大。 * 感谢你的观看 2019年5月24 因此，每一条以 IB 为参变量的曲线都随VCE 增大而略有上翘。 （2）、若取VBE 为参变量，作特性曲线 IC VBE4 VBE3 VBE2 VBE1 VCE 0 A VA VA 称为厄尔利电压，其值的大小可用来表示输出特性曲线得上翘程度。∣VA∣越大，上翘程度就越小。 * 感谢你的观看 2019年5月24 考虑厄尔利电压的影响，则 应该加以修正为 0 VCE IC IC IC2 IC1 * 感谢你的观看 2019年5月24 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看 感谢你的观看